Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 4 5 6 7 8 9 10... 140 141 142
|
|
|
|
ронике: физика и химия поверхности; границы раздела между жидкой и твердой фазой и двумя твердыми фазами; явления, связанные с воздействием световых, электронных и ионных пучков на материалы; также вакуумное материаловедение и основные пленочные материалы и многослоевые композиции, используемые в микроэлектронике. Первая глава посвящена общим научным основам материаловедения; структуре и свойствам материалов и их связи с природой межатомной связи. В гл. 2—4 рассматриваются физико-химические явления, обусловленные появлением поверхности, граничащей с вакуумом или газовой фазой (гл. 2) или другой конденсированной фазой (гл. 3), и имеющие важное значение при производстве и эксплуатации микросхем. Главы 5—8 посвящены пленочному материаловедению. Причем в гл. 5 и 6 рассматриваются методы, свойственные вакуумному материаловедению, и пленочные материалы, создаваемые по вакуумной технологии. В гл. 7 изложены данные по полупроводниковым эпитаксиаль-ным пленкам, для создания которых в микроэлектронике все еще наиболее эффективным является применение химической кристаллизации. В гл. 8 рассматривается место описанных в книге закономерностей в современной технологии микросхем. В этой главе излагаются также основные вопросы материаловедения, связанные с воздействием на материал световых, электронных и ионных пучков. Эти вопросы тесно связаны с развитием наиболее перспективных методов производства микросхем. Ограниченный объем книги не позволил нам остановиться на научных проблемах вакуумной технологии, а также рассмотреть многие другие важные вопросы, которые по названной причине оказались опущенными или освещены в книге слишком сжато. Однако мы полагаем, что и в таком виде книга будет полезной для конструкторов, технологов и исследователей, работающих в области микроэлектроники, а также для аспирантов и студентов старших курсов университетов и втузов. Авторы будут признательны читателям за предложения и замечания по улучшению содержания книги, которые следует направлять по адресу: 113114, Москва, Шлюзовая наб., 10, издательство "Энергия". Авторы Глава первая АТОМНОЕ СТРОЕНИЕ ТВЕРДОГО ТЕЛА 1-1. МЕЖАТОМНЫЕ СВЯЗИ И СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ Технологические методы и процессы, применяемые в микроэлектронике и при микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры, используют всевозможные материалы и широкий диапазон различных на них воздействий [4—12]. Для практических целей при этом используются любые (включая и все промежуточные) состояния вещества — твердое, жидкое, газообразное и плазменное; 1) совершенные монокристаллы; 2) монокристальные (эпитаксиальные) пленки, содержащие различные дефекты кристаллического строения; 3) поликристаллические массивные образцы; 4) тонкие и толстые пленки; 5) жидкие кристаллы; 6) реальные жидкости; 7) аморфные и, в частности, стеклообразные вещества; 8) различные газы и пары — молекулярные пучки в вакууме, транспортные газовые потоки и т. п.; 9) плазму. Плазма — это предельное состояние вещества при очень высоких температурах, представляющего собой "смесь" положительных ионов и электронов, а также нейтральных атомов и молекул в возбужденном состоянии, строение электронных оболочек которых значительно нарушено по сравнению с привычным для нас газообразным состоянием. Изготовление полупроводниковых микросхем основано на использовании наиболее совершенных из всех известных в современной технике монокристаллов: германия, кремния и соединений типа А11^ (ОаАв, 1пР, 1п8Ь) и др. Межатомные связи в твердых телах. Строгое описание твердого тела сопряжено со значительными математическими трудностями. Поэтому для решения современных практических проблем материаловедения приходится сочетать строгие квантовомеханические принципы с полуэмпирическими методами. Такой подход позволя
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 4 5 6 7 8 9 10... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
