Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 66 67 68 69 70 71 72... 140 141 142
|
|
|
|
0,7\—^-^-1 Рис. 5-16. Влияние скорости осаждения vк на время существования неравновесных островков РЬТе на №С1. / — область существования неравновесных островков; // — область автокоалесценций; 111 — область роста равновесных частиц. 13 7 12 20 30" время конденсации, (масштаб \ГС) ков и ускоряется их автокоалесценция (разрушение, сворачивание). Обычно влияние 50 температуры и скорости конденсации рассматривают совместно в виде диаграммы [Тп, Ук]. На рис. 5-17 приведена, например, диаграмма основных механизмов формирования эпитаксиаль-ных пленок РЬТе||ЫаС1 [9]. На диаграмме обозначены границы областей действия основных механизмов формирования. Выше линии //—// переход от ансамбля дисперсных эпитаксиальных частиц к совершенной монокристаллической пленке совершается благодаря спеканию этих частиц и сопровождается испарением участков материала с искаженной решеткой вблизи различных дефектов. Этот процесс происходит одновременно с осаждением вещества на совершенных участках пленки и является обратимым процессом конденсации (ОК). Такой механизм перехода к равновесию специфичен для ук^=0,3-ь-0,8 нм/с. Интенсивная автокоалесценция (АК), сопровождаемая разрушением островков конденсата на ранней стадии, служит причиной появления существенной "субструктурной" неравновесности, включая даже потерю частицами первоначальной преимущественной 300 3 нм'а Рис. 5-17. Диаграмма механизмов формирования пленок РЪТе||ЫаС1 на ранних стадиях; области Тп, Ок ОК — обратимой конденсации; АК— атокоалесценции; ЖК — жидколо-добной коалесценции; С — интенсивного спекания ограненных частиц. ориентировки [1130]. Лишь в области диаграммы ЖК появление после автокоалесценций неограненных (каплеобразных) частиц делает возможной интенсивную "жидкоподобную" коалесценцию, которая способствует "слиянию" дисперсного конденсата в равновесную эпи-таксиальную пленку со сравнительно небольшим количеством дефектов кристаллического строения. Широкий незаштрихованный участок диаграммы между линиями //—II и ///—/// представляет собой область, в которой релаксация от микродисперсного состояния до состояния сплошной монокристаллической пленки может осуществиться лишь с помощью порогового (т. е. активируемого) спекания. В этой области энергии теплового движения атомов (ниже Гп="230оС) недостаточно, чтобы преодолеть порог и осуществить интенсивное спекание. В этой зоне переход к равновесию существенно заторможен. Однако сочетание действия повышенной температуры (7п250°С) и энергии, запасенной в дисперсном активированном состоянии (при увеличении и выше 1,5—2 нм/с), оказывается достаточным для преодоления активационного порога при спекании дисперсных ограненных частиц в области "С" правее и выше границы ///—///. Направление изменения Ти и vк, соответствующих наиболее быстрому переходу к равновесию уже в процессе формирования пленки, показано на рис. 5-17 стрелкой. Степень вакуума. Состав и давление остаточных газов имеют первостепенное значение в процессе формирования остаточного активированного состояния. В гл.3 была выяснена роль адсорбции в процессе релаксации неравновесного состояния вновь созданной поверхности. Активные газы и пары (02, Н20, СО, углеводы), содержащиеся в атмосфере остаточных газов, прочно соединяются с атомами пленки, образуя примесные комплексы, которые замуровываются в объеме частиц. Эти примесные центры в дальнейшем играют роль стопоров, препятствующих переходу к равновесному состоянию. Последнее обстоятельство достаточно наглядно было проиллюстрировано в [39] при описании действия кислорода на закономерности формирования пленок Си, N1 и пермаллоя. Наличие кислорода существенно влияет на субструктуру, в том числе на размер ОКР, качество границ между блоками, на уровень микронапряжений, а также на стабильность структуры во времени (при естественном старении, отжиге и т. п.).
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 66 67 68 69 70 71 72... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
