Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 65 66 67 68 69 70 71... 140 141 142
|
|
|
|
ного активированного состояния в пленках по сравнению с другими методами осаждения. При термическом испарении на формирование конденсата и степень его неравновесности оказывают влияние лишь комплексный состав пара [9] и кинетическая энергия молекул, попадающих на подложку. При использовании разных методов термического испарения соединений важное значение имеют также степень диссоциации и изменение состава пара по сравнению с составом шихты. О -2 ? ,4. -в -8 2£ 2,2 1,8 1/Т-10 3 1 [ 1 1 I I 1ч I я й 1 АПри ъ лич /Г срс стал еская Ш Жидкость па) шй 7 / П V / / / / 100200 300 Ш 500600 Температура г, "С Рис. 5-15. Фазовая диаграмма для двухи трехмерного пара В1. Температура подложки. Температура подложки является одним из наиболее существенных параметров, так как она не только задает переохлаждение и пересыщение, но от нее зависят также скорости релаксации неравновесных состояний. Различают следующие характерные температуры подложки: а)Тк — критическая температура, выше которой осаждение молекулярного пучка на подложку не происходит; б)01—температура, выше которой возникает конденсация пара по механизму пар —жидкость с образо ванием жидких частиц. На рис. 5-15 приведена фазовая диаграмма для висмута, отражающая природу этого явления. Диаграмма построена в координатах ^ р (р — давление пара, создаваемое молекулярным пучком В1) и /п (температура подложки). Диаграмма для двумерногопара представляет собой двумерный аналог диаграммы равновесия пар—жидкость — твердая фаза для массивного Вь Температура в! в связи с этим может рассматриваться как температура кристаллизации тончайших слоев, состоящих из частиц размером 2— 5 нм; в) 62*"7УЗ — температура, ниже которой формируется аморфная пленка. В интервале в(—вг господствует механизм конденсации пар — кристалл (ПК). Внутри температурных интервалов, примыкающих к в! и в2, осуществляется гетерогенная конденсация одновременно по двум механизмам ПЖ и ПК Рассмотренные механизмы конденсации относятся к самым ранним стадиям, когда тончайшие пленки формируются из частиц, содержащих десятки, сотни атомов. На последующих стадиях разросшиеся капельки жидкой фазы становятся неустойчивыми и кристаллизуются (механизм ПЖК). Наиболее отчетливо механизм ПЖ (К) проявляется на аморфной или поликристаллической подложке. Эпи-таксиальное влияние монокристаллической подложки обычно подавляет механизм ПЖ и расширяет диапазон ©1—©з действия механизма ПКРассмотренные механизмы оказывают сильное влияние на формирование пленки. Механизм ПЖ (К) способствует появлению фазовой, а также различных видов субструктурной неравновесности (дефектов кристаллического строения). Скорость конденсации. Скорость поступления вещества на подложку, от которой зависят давление двумерного пара и реализуемая степень пересыщения, является важнейшим физико-технологическим параметром, с помощью которого осуществляется управление степенью неравновесности конденсата. Рассмотрим, например, влияние скорости конденсации на время существования неравновесных протяженных островков тн и длительность автокоалесцеиции та [¡9, 39]. Из рис. 5-16 видно, что при повышении скорости конденсации быстро снижается время существования неравновесных остров
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 65 66 67 68 69 70 71... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
