Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 62 63 64 65 66 67 68... 140 141 142
|
|
|
|
ISO I I wo OP Иристаллическая / 4 $ I Аморфная + кристалл ичекая i Начало x ////7YT*~— 10 7 Ю Б10 510 * Скорость конденсации ик, г/(смг-с) Рис. 5-12. Влияние скорости осаждения на а и Р-превращения в аморфных пленках БЬ. не Л, меньшей определенной критической толщины Аа, пленка находится в аморфном состоянии. Однако даже при незначительно*! увеличении толщины выше Аа начинается медленное диффузионное превращение аморфной фазы в кристаллическую с образованием сферолитов. Кинетика кристаллизации сурь-ады и ее связь с толщиной показаны на рис. 5-13. Кристаллизация аморфной сурьмы завершается при толщине Ль соответствующей пересечению жирной кривой, описывающей зависимость длительности кристаллизации от толщины, и прямой линии Оа, соответствующей линейной зависимости толщины пленки /г I во ^30 I I и 1 ¡1 'Амор/р\ Ш мая 1 \ Кристаллическая о 1 ж \ Аморфная \°/ + \ ^кристаллическая | ^^^гв^П а -.Ь-t-f-t 1-hrT ifT 10 л* 50Ь, 100 Толщина пленки, нм Рис. 5-13. Зависимость длительности кристаллизации от толщины пленки при постоянной скорости конденсации "к=8-10-7 г/(см2-с). от длительности процесса конденсации т. В интервале толщин Aaftfti пленка закристаллизована лишь частично; при ftfti она кристаллизуется полностью в процессе осаждения. Из диаграммы видно, что имеется вторая критическая толщина ftp="120 нм. Если толщина пленки становится больше этой величины ftp, то превращение происходит по бездиффузионному механизму со скоростью, близкой к скорости звука в данном материале. Рис. 5-14. Последовательность кинокадров процесса разрушения аморфной пленки БЬ (скорость съемки 4000 кадров/с). На рис. 5-14 приведена последовательность кадров скоростной киносъемки процесса разрушения аморфной пленки ЭЬ при р-превращении. Аналогичное явление наблюдается и в других аморфных пленках, например твердый раствор А1—Си в массивных образцах при содержании Си в количестве, большем 5,5%, становится лабильным, т. е. абсолютно неустойчивым. В пленках сплавов А1—Си толщиной около 10—30 нм зафиксированы пересыщенные твердые растворы, содержащие до 30% меди и более. Важное практическое значение для оптоэлектроники имеет превращение аморфного селена в кристаллический в тонких пленках. В аморфном состоянии Бе может существовать в двух модификациях: для первой аморфной модификации селена характерно наличие восьмиатомных колец, во второй образуются пространственно раз
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 62 63 64 65 66 67 68... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
