Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 60 61 62 63 64 65 66... 140 141 142
|
|
|
|
е,1,53-ia щяс ___ нозрастает, 10 12 /4IS IS SiC Другой Рис. 5-10. Зависимость интенсивности потока / ионов Ge+, выбитых ионами Кг+ из германиевой мишени, от энергии Е (I — кривая задерживающего потенциала). рис. 6-9,6 к более быстрым ионам с энергией 5-Ю-18 Дж и рис. 5-9,6 соответствует спектру предварительной очистки камеры титановым насосом. Кроме атомов и ионов, из мишени выбиваются более сложные комплексы. Тенденция к комплек-сообразованию и образованию соединении значительно :а. прнмер, для отличительной чертой в этом случае является наличие отрицательно заряженных ионов. Распределение по энергиям выбитых ионов может быть определено методом задерживающего потенциала (рис. 5-10). Средняя энергия ионов Се+, выбитых ионами Кг+ с энергией 6,0-Ю-'7 Дж, составляет 3-10~19 Дж. Энергия выбитых нейтральных атомов может быть несколько ниже, так как ионы являются более быстрыми частицами. Катодное распыление как метод препарирования пленок. Метод катодного распыления обладает рядом преимуществ, обеспечивающих возможность: 1) очистки подложки; 2) повышения плотности зародышей па начальной стадии кондспсаппи; .'') ишаргшгл т\'1 ил.глы.пх материалов; -1) испарения и кип. к-псампи мнепикомпо нентпых вещестп бе! изменения исходного соотношения компонентов. Перепое многокомпонентного материала из источника на подложку без изменения химического состава является важным преимуществом катодного распыления; оно было продемонстрировано для нержавеющей стали, бронзы, алюминиевых и других сплавов. Катодное распыление компонентов сложных соединений или сплавов может происходить различным образом благодаря различию относительных коэффициентов распыления. В первый момент с поверхности уходит компонент с наибольшим коэффициентом распыления. Однако в отличие от термического испарения на поверхно йти очень быстро возникает область, обедненная этим компонентом. Это происходит потому, что материал находится при низкой температуре и диффузия легкоуда-ляемого компонента из объема к поверхности затруднена. При вакуумном термическом испарении высокая температура обусловливает непрерывный диффузионный подвод к поверхности легколетучего компонента. Для сплавов и разлагающихся соединений с большим различием в упругостях пара компонентов последнее обстоятельство превращает термическое испарение в фракционную перегонку материала. Возможность достижения в препарируемой пленке того же состава, что и в распыляемом материале, делает метод катодного распыления одним из наиболее перспективных способов получения слоев полупроводников и диэлектриков. Специфика катодного распыления обусловливает ряд особенностей, которые усложняют механизм зарождения, роста п формирования пленок. К ним относятся: наличие ионного компонента обоих знаков; каталитическое действие (возникновение соединений и сложных комплексов, которые не содержались в исходном материале) . Виды катодного распыления: а)тлеющий разряд; б)распыление в магнитном поле; одна из разновидностей этого способа — схема обращенного магнетрона (внешний цилиндр — катод, внутренний цилиндр — анод). По этому методу распыление может осуществляться в вакууме около Ю-3 Па. При использовании магнитного поля возможно применение как поперечного, так и продольного ноля. Последнее почполяот сконцентрировать плазму на распыляемой мишени; в)триодпое распыление; г)/^-распыление. Этим способом газ ионизируется электромагнитной радиацией (ультрафиолет, рентген, улучи или высокочастотное поле с частотой 1,8—2 МГц |19, 211; д)реактивное распыление. При применении этого способа к инертному газу добавляется реактивный компонент (кислород, пары кислоты). На рис. 5-11 показаны различные варианты электрической схемы Включения при катодном распылении, позволяющего управлять свойствами распыляющего пучка ионов и плазмы. С помощью катодного распыления в настоящее время препарируются тонкие тенки металлов, полупроводников и диэлектриков для различных целей. К ним относятся прозрачные пленочные полупроводниковые нагреватели: ВЮ, ВЮ + Аи, БпОг, С(10, 1п203, Ре203. Пленки твердых окислов ниобия, получаемые катодным распылением, используются в качестве защитных покрытий стекол. На основе окис-ных пленок осуществлено препарирование пленочных диодов, конденсаторов
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 60 61 62 63 64 65 66... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
