Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 58 59 60 61 62 63 64... 140 141 142
|
|
|
|
ориентировки поверхности. Существенное влияние на коэффициент распыления оказывает соотношение масс падающих ионов т, и распыляемых атомов т2. Коэффициент передачи энергии /* равен: р __ 4от,т8 (т, — т2)2 • Влияние /* на Ик при распылении чистых металлов и их соединений с легкими элементами С и В иллюстрируется рис. 5-7 [23]. Характерными являются большие величины коэффициента передачи энергии /* и в связи Ne Ar, Кг Хе О W 20 30 4-0 50 БО 70 _ ЗО ЗО 100 Атомный номер иона Рис. 5-6. Зависимость коэффициента распыления Л1, Си и Та от массы распыляющих ионов. с этим более высокие значения R,{ для соединений но сравнению с чистыми металлами, являющимися компонентами этих же соединений. Следствием такой специфики передачи импульса при ударе ионами является правило: для соединения, компонентом которого является данный металл, коэффициент распыления выше, чем для того же металла в чистом виде (рис. 5-8). Это правило справедливо, когда масса неметалла существенно меньше массы металла, входящего в соединение, т. е. оно выполняется для тяжелых металлов, а также для кремния в соединении SiC. Из табл. 5-1 видно, что понижение массы бомбардирующих ионов выравнивает скорость распыления кремния и его карбида. 118 Влияние массьГбомбардирующего иона на коэффициент расиыления RK в Si и S1C [19] Распыляющие ионы Л.+ Хе1' Энергия иоиов, 1.52Х 0.6 0,6 0,6 0,6 Х10-16 Д* Коэффициент раепьі'ісгіил "к для кргмния для карбида кремния 0,0 1 ,0 0,5 1,6 0,5 0,55 0,2 0,16 В других случаях распыление соединении может быть значительно ниже, чем для соответствующего металла. Так, коэффициенты распыления ионов ири энер гии в несколько электронвольт на сотен переменном токе составляет: для Бі02 #к=1; А1203 #„=0,3; Та,05 #„=1,2; А';. -0.7. Величина Нк для Ее принята равной единице. При распылении ионами аргона с энергией около 16Х Х10-,6Дж ЯК(А1)=1,2; Як(АІ2Оз)=0,5; /?,(5І) = -=0,5; #К(5Ю2) =0,16 атом/ион. Таким же но уровню коэффициентом распыления обладают стекла (например, ни-рекс /?,;=(),15 атом/ион при энергии атомов Аг £^1,6-10-,й Дж). В [19] предложено характеризовать скорость распыления вещества отношением ир=ЯктТ/Е, где /?к — коэффициент распыления, ионов; т ние V moMfasH Як 0,2S oZrB2 Рис. 5-7. Влияние коэффициента передачи энергии /* на коэффициент распыления для чистых металлов и их соединений с легкими элементами при бомбардировке ионами 1л+ с энергией 400 1.59Х ХЮ19 Дж. атом/ион; Е — энергия — массовое число атомов мишени. Использова-р в качестве характеристики процесса распыления позволяет выявить ряд его особенностей.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 58 59 60 61 62 63 64... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
