Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8... 139 140 141 142
|
|
|
|
поверхности — это не только источник весьма чувствительных неприятностей в научных исследованиях и практических применениях, но он предоставляет инженеру уникальную возможность микроминиатюризации элементов радиоэлектроники в твердотельном исполнении, например "планарный принцип микроминиатюризации". Планарный принцип микроминиатюризации прежде всего использует исходное неравновесное состояние поверхности чистого вещества—подложки. В естественных условиях переход к более равновесному состоянию сопровождается различными процессами: адсорбцией на поверхности газов, паров и жидкостей, окислением или образованием различных твердых пленок, проникновением в поверхностный слой и в объем подложки с помощью диффузии различных примесей и т. д. При длительном хранении или эксплуатации проявляется еще воздействие различных факторов: света, тепла, магнитных и электрических цепей, космических излучений и т .п. , которое ускоряет или замедляет указанные процессы. Планарный принцип микроминиатюризации предусматривает управляемое осуществление всех перечисленных выше процессов перехода из первоначального неравновесного состояния в состояние, близкое к термодинамическому равновесию. Создание поверхности открывает свободный доступ к части кристалла, прилегающей к этой поверхности. С помощью пучков частиц (электронов, атомов или молекул) и света фотооригинал, представляющий собой абстрактное двумерное информационное множество, в черно-белых (или прозрачно-непрозрачных) участках которого заключена информация о конструкции микросхемы, проектируется с уменьшением, например с помощью фотокопии (контрастного негатива), фотошаблона на поверхность. Селективное воздействие пучков света, управляемое с его помощью, стимулируя одни и подавляя другие явления, ускоряет либо замедляет физико-химический процесс перехода к равновесию в условиях искусственно созданной технологической среды. Микросхема представляет собой многокомпонентное твердое тело, составленное из слоевых композиций, нанесенных . на поверхность или возникших в непосредственной близости к ней. Впечатляющие достижения микроэлектроники по существу неотделимы от использования илаиарного прин цйпа микроминиатюризаций для разработок конструкций и технологии. В настоящее время возможности пла-нарного принципа микроминиатюризации реализованы еще далеко не полностью. Используется в инженерных и технологических целях лишь малая доля эффектов и явлений, связанных с феноменом поверхности. В предлагаемой книге сделана попытка систематически рассмотреть основные проблемы, стоящие перед материаловедением в области микроэлектроники. В монографической литературе ощущается серьезный пробел в освещении проблем материаловедения, специфичных для микроэлектроники, и в изложении с единой точки зрения вопросов корреляции между технологией, структурой (субструктурой) и физико-химическими свойствами используемых при микроминиатюризации пленочных композиций и приповерхностных слоев, выполняющих в микросхеме функции активных и пассивных электронных компонентов. В настоящее время издано много книг, посвященных описанию физических основ микроэлектроники, методам конструирования, производства и применения микросхем. Однако во всех этих книгах физико-химические основы явлений и принципов, связанных с производством и функционированием, упоминаются лишь вскользь или рассмотрены предельно схематически. Отдельные физические и физико-химические проблемы, относящиеся к описываемой нами новой области, весьма обстоятельно и на высоком уровне изложены в фундаментальных монографиях по кристаллической структуре, кристаллохимии, физике и химии дефектов в твердом теле, методам исследования структуры и химического состава и т. п. Однако в подобных монографиях не рассматривается связь между этими проблемами и научными основами конструирования, производства и эксплуатации микроэлектрониой аппаратуры. Между тем понимание этой связи важно для правильного выбора принципов конструирования, создания и разработки научно обоснованного, прогрессивного технологического процесса и установления наиболее рациональной сферы применения микроминиатюрного электронного прибора. Книга представляет собой продолжение работ [1 — 3], посвященных современному пленочному материаловедению. В ней рассматриваются наиболее важные прикладные проблемы материаловедения в микроэлект
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8... 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
