Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 56 57 58 59 60 61 62... 140 141 142
|
|
|
|
Здесь к] и %2 — длина свободного пробега до и после разрыва. Обычно Я,1 = 4Я,2 Для слабого разрыва Х\=%2='к; ЬК= рг + £' 5 и 8= 1.368Я. Газодинамический поток вдоль осесимметричного испарителя. Для последовательного количественного описания процесса движения потока вдоль испарителя принимают ряд упрощающих допущений [10]: 1)процессы испарения и конденсации стационарны; 2)поток пара является одномерным; 3)состояние пара может быть описано уравнением Менделеева—Клапейрона; 4)тепло, передаваемое поверхности, на которой происходит конденсация, не меняет ее теплового режима. Пар, протекающий по каналу, может испытывать следующие основные виды внешнего воздействия: геометрическое, когда геометрия и площадь канала изменяются вдоль него; расходное (пар осаждается на стенках либо испаряется с них); тепловое, когда к потоку пара подводится (или отводится) тепло через стенки канала. В случае изолированного расходного воздействия критическим является минимальное сечение. Если сечение А—А минимально и к выходному отверстию конца расширяется, то критическим будет сечение, отстоящее от А—А на расстоянии Ьк (в сторону выходного отверстия). В случае цилиндрического испарителя любое сечение является критическим. Последнее означает, что условия течения пара одинаковы во всех сечениях цилиндрического испарителя, расположенного между начальным газодинамическим сечением и сечением выходного отверстия испарителя. Для цилиндрических испарителей характерна представленная на рис. 5-'2 зависимость полуширины распределения конденсата ао,5 на подложке от глубины к залегания шихты [17]. Если шихта расположена на малой глубине (кЬК), то в испарителе не происходит формирования газодинамического потока, и рассеяние вещества происходит непосредственно из газокинетического слоя. По мере испарения шихты ее уровень понижается и сокращается телесный угол, под которым поверхность испаре ния видна из различных мест подложки. Соответственно уменьшается и ао,5Однако прив испарителе формируется газодинамический поток, и дальнейшее увеличение глубины залегания к не меняет условий рассеяния пара за сечением выходного отверстия, поскольку не меняются условия его течения на участке между начальным газодинамическим сечением и сечением выходного отверстия (длина Ьг на рис. 5-1). О 0,2 ¿7,4 0,6 0,8 1,0 1,2 О 1 2 3 4 5 Б а)О) Рис. 5-2. Функция распределения р(и), описывающая форму холма конденсата Ъ'\ над цилиндрическим испарителем ¿=0,8 см для различной глубины к залегания шихты под уровнем выходного сечения испарителя (а), и зависимость а0,5 от Щй. (б). Номера кривых, мм. / — 42.8; 2 — 36,5; 3 — 29.6; 4—19,2; 5 — 13,7; " — 10,2; 7 — 6,83; " — 3,12; 9 — 0. Длина области цилиндрического испарителя между этими сечениями не оказывает влияния на условия движения потока пара в испарителе. 5-2. ИОННО-ПЛАЗМЕННЫЙ МЕТОД В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ В технологии микросхем в настоящее время широко используется ионно-плазменный метод. С помощью ионов, извлеченных из ионной плазмы, осуществляются 8"115
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 56 57 58 59 60 61 62... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
