Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 53 54 55 56 57 58 59... 140 141 142
|
|
|
|
Растворение кремния и его двуокиси. Особенностью механизма растворения Б1 и БЮг является малая растворимость последней в водных растворах. Растворимость повышается в присутствии ионов Рв результате образования комплексных анионов [{мРв]2-. В щелочных растворах растворимость Б1 возрастает на четыре порядка в соответствии с реакциями Б1 + 2Н20 ЪЮг + 2Н2; БЮг + 2КОН КгБЮ, + Н20. В водном растворе аминов в присутствии пнрокатехола растворение идет с образованием комплексов: Б1 (ОН)|--ЗСвН4 (ОН), [Б1 К^^гШ*+ Н20. Растворение ваАв. Образование активированных комплексов на поверхности СаАв тесно связано с преобладанием ковалентиого характера связи у этого соединения. Тип гибридизации в комплексе может существенно измениться. Например, после ухода в раствор атомов мышьяка возникает существенное искажение тетраэдрической координации и, как следствие, изменение типа гибридизации орбита-лей. Подобное явление возникает для атомов йа, связанных на поверхности СаАв. Изменение типа гибридизации значительно снижает энергию активации атомов йа с мышьяковой поверхности типа В. Переход атомов йа с галлиевой поверхности типа А соответствует значительно более высокой энергии активации, связанной с необходимостью разрыва зр3-гибридных связей. Глава пятая ОСНОВЫ ВАКУУМНОГО МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЯ 5-1. ФОРМИРОВАНИЕ В ВАКУУМЕ ГАЗОДИНАМИЧЕСКИХ ПОТОКОВ И МОЛЕКУЛЯРНЫХ ПУЧКОВ В современной микроэлектронике осаждение веществ в вакууме является одним из основных методов препарирования различных тонких и толстых пленок, используемых в качестве элементов микросхем: проводящих дорожек, контактов, изолирующих прослоек пленочных резисторов и т. п. Возможности этого метода получения конденсированных пленок были изучены акад. С. А. Век-шиноким [1]. Молекулярные пучки (состоящие из молекул пара) распространяются по прямолинейным траекториям и переносят массу по законам распространения, аналогичным законам геометрической оптики [1]. Перенос вещества в вакууме с целью выращивания тонких и толстых плеиок и покрытий и создания раз-108 личных пленочных композиций имеет ряд существенных преимуществ перед другими методами препарирования пленок, используемыми в микроэлектронике для этой же цели. Испарение и осаждение веществ в вакууме можно осуществлять в наиболее чистых условиях. Закономерности испарения, распространения и конденсации веществ в вакууме в настоящее время хорошо изучены. Это открывает возможность количественного описания явлений, происходящих при осаждении в вакууме. Последнее необходимо для разработки научно обоснованной технологии и автоматизации процессов вакуумной технологии. В микроэлектронике широко применяются методы термовакуумного испарения, электроннолучевой, ВЧ нагрева, ионно-плазменный, метод катодного распыления материалов и др. Ниже рассматривается метод термовакуумного испарения, т. е. испарения веществ в вакууме при высокой температуре [11—11]. Физико-химические закономерности испарения веществ в вакууме. Переход вещества в пар при нагревании может происходить из жидкого и твердого состояний. В последнем случае процесс называется сублимацией. В качестве испарителей обычно используются контейнеры различной геометрической формы, заполняемые испаряемой шихтой, с прямым или косвенным нагревом. Испарителем может служить капля металла, подвешенная в ВЧ индукторе (бестигельный метод), а также периферическая область испаряемого образца, охлажденная до комнатной температуры (автотигельный метод). Для воспроизводимого препарирования пленочных элементов испарители открытого типа должны удовлетворять нескольким требованиям, предъявляемым к испаряемому материалу и режиму испарения: а)геометрия испарителя должна обеспечивать постоянство распределения конденсата на подложке в течение всего процесса испарения, несмотря на значительные изменения уровня загрузки испарителя. При этом должна быть возможность количественного (аналитического) описания распределения конденсата на подложке, что является необходимой предпосылкой автоматизации технологии термовакуумного нанесения пленок; б)испаритель должен быть экономичным.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 53 54 55 56 57 58 59... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
