Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3 4 5 6 7... 139 140 141 142
|
|
|
|
ПРЕДИСЛОВИЕ Технический прогресс в области приборостроения тесно связан с использованием при микроминиатюризации электронной аппаратуры тонких слоев полупроводников йе, Б1 и ОаАэ, пленок нитридов, силицидов и окислов и интенсивным применением методов вакуумной, диффузионной и химической технологии. Замена в современном приборостроении громоздких электровакуумных приборов, аппаратов и устройств, действующих по сравнительно простым электромеханическим принципам, приборами в твердотельном и пленочном исполнении, т. е. "погружение" электронной схемы прибора в материал, выдвигает на первый план при решении проблем конструирования и производства электронной аппаратуры микроэлектронное материаловедение. Ведущая роль материаловедения в настоящее время широко признана в таких старейших областях техники и промышленности, как машиностроение, электротехника, энергетика и химическая промышленность. Под материаловедением (или наукой о материалах) понимают совокупность научно-технических знаний о физико-химической природе, методах исследования и изготовления различных материалов с заданными свойствами. Эта наука широко опирается на комплекс теоретических и прикладных наук, связанных с разнообразными металлами и сплавами, различными синтетическими материалами и пластмассами или же со специальной обработкой этих материалов — термической, механической, химико-термической и термомеханической. Проблемы материаловедения в области микроэлектроники определяются спецификой процесса микроминиатюризации, основанного на создании интегральных полупроводниковых и гибридных пленочных микросхем, состоящих из многослойных систем типа металл—диэлектрик—металл (МДМ), металл — диэлектрик — полупроводник (МДП), пленочных полевых триодов, пленарных оптронов, а также матриц, содержащих большое количество этих элементов. Микроминиатюризация привела к разработке новых методов проектирования и производства электронной аппаратуры. Увеличение на три порядка плотности компоновки деталей в единице объема, повышение надежности их работы, увеличение на два по рядка быстродействия и снижение стоимости электронной аппаратуры поставили ряд совершенно новых задач перед материаловедением в области микроэлектроники. Переход к пленочному исполнению приборов и активных элементов сложнейших электронных устройств обусловил появление целого комплекса проблем, которые могут быть объединены под общим названием — пленочное материаловедение. Научные исследования и практические разработки в области тонких пленок по сравнению с "массивными" образцами выявили ряд специфических закономерностей, которые оказывают влияние на технологический процесс производства и эксплуатационные параметры изготовленных приборов. Установлено принципиальное отличие тонкопленочного состояния от обычного "массивного" состояния, заключающееся в наличии размерных и субструктурных эффектов, требующих для своего понимания привлечения новейших представлений физики поверхности и тонких слоев, которые являются основными для тонкопленочных материалов, тогда как для "массивных" материалов эти явления практически не принимаются во внимание. Развитие физики тонких пленок и пленочного материаловедения революционизирует сами методы изучения вещества широким использованием электронной микроскопии, электронографии, рентгенодифрактомет-рии, масс-спектрометрии и разнообразных прецизион-нь" методов исследования объемных и поверхностных свойств твердого тела. Многочисленные исследования последних лет и новые технические приложения выдвинули па передний план проблему физики и химии поверхности. Поверхность твердого тела (или грань кристалла), представляющая собой "обрыв" его объема, нарушает его симметрию и превращает поверхность и приповерхностный слой в особую неравновесную область. Понимание этого фундаментального факта отчетливо выступает еще в термодинамических исследованиях Дж. В. Гиббса. Систематическое изучение физики и химии поверхности в полной мере подтверждает наличие особых свойств этой части твердого тела и большого количества разнообразных поверхностных эффектов и явлений. Последнее привело к созданию специальной науки: физики и химии поверхности. Однако лишь в 60-е голы стало ясно, что эффект
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3 4 5 6 7... 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
