Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 43 44 45 46 47 48 49... 140 141 142
|
|
|
|
Поверхностный диффузионный поток I* определяют по аналогии с (3-32): Г = ^т5г^%фЕ*.(3-35) Приложение поля в направлении, перпендикулярном поверхности раздела двух фаз (двух металлов), может вызвать ряд явлений, связанных с электропереносом. В этом случае подвижность атомов металла Мх и М2 по обе стороны от границы раздела (рис. 3-14) различ-мна. Пусть и2и1. При ххпрохождении тока в на |правлении, обозначенном Iна рис. 3-15 стрелкой, +о 0_Х происходит (быстрое уда х А | вление атомов М2 от ле X^хвой границы. Уход ато ^мов М2 от этой границы не может быть пол-'ностью компенсирован Рис. 3-14. Схема движения атома ПОДВОДОМ атОМОВ М\ 'Через и вакансии при объемной диффугоаНицу так как их по-зии. у : движность существенно ниже. Сопротивление в месте контакта двух металлов обычно выше, чем в объеме (контактное сопротивление), и в месте контакта будет выделяться при больших токах большое количество тепла. Повышение температуры вызовет резкое ускорение электродиффузии, поскольку коэффициент диффузии будет зависеть от температуры так же, как и при обычной диффузии (см. стр. 76). На правой границе В поступающие вследствие электропереноса атомы М2 по той же причине (£/1£/2) не в состоянии разместиться в узлах решетки, освобожденных в результате ухода атомов М\. Оба эти процесса на границе А и В приведут в первом случае к появлению пор и пустот, в во втором — к образованию выделений (скопления атомов М2, бугорки, усы и т. д.). Если реализуется распределение температур, показанное схематически на рис. 3-15, то скорость удаления массы от плоскости оказывается пропорциональной третьей степени плотности тока. В "массивных" образцах эффект электродиффузии, за исключением некоторых особых случаев (припои в местах контакта, вольфрамовая нить накаливания при ТТ3/2 и т. п.), относительно невелик. В отличие от этого в тонкой проводящей пленке, особенно нанесенной на подложку с высокой теплопроводностью, может быть достигнута плотность тока около 107 А/см2 без существенного перегрева этой пленки. Например, температура металлической пленки на поверхности монокристалла кремния при такой плотности тока будет ниже 200°С. М, Рис. 3-15. Схемы электродиффузнн. а — для различных материалов; б — градиента температур; в — в системе А1—51—5102. Возникшие вблизи границ раздела пустоты и поры, а также скопления и включения сами начинают двигаться в электрическом поле. Скорость движения включения описывается соотношением [32] е [ИГ °°*
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 43 44 45 46 47 48 49... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
