Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 41 42 43 44 45 46 47... 140 141 142
|
|
|
|
Аннигиляция избыточных вакансий на дислокациях служит причиной неконсервативного движения последних. В диффузионной зоне кристалла Ах вблизи границы раздела наблюдается своеобразный процесс ползучести, сопровождаемый смещением границы раздела. Наличие факторов, влияющих на порообразование, существенно сказываются на соотношении обоих эффектов. Например, внешнее давление, задерживающее процесс образования пор, существенно ускоряет движение границы раздела. С другой стороны, в образцах из спрессованных порошков эффект Френкеля проявляется наиболее полно. Если разность потоков приводит лишь к образованию пор, то суммарный объем пор на единицу площади раздела Уп(0 определяется соотношением о Оценка дает значение Уп КЧ =*= 2)1/2 1 при ^_!_ V **)х=о 2(Ш)1'2 • Направление и величина потока вакансий тесно связаны с термодинамическими свойствами и структурой веществ по обе стороны границы раздела. Изменение величины свободной энергии Дб в процессе образования твердого раствора прн диффузионном перемещении п атомов вещества А\ в вещество Лг равно: ДО 1 ~Т^'Ж^~^-(3"24 Здесь (¿1 и (¿2 — теплоты испарения веществ А\ и Л2; г — координационное число; #/""'1. Критерий (3-24) справедлив для веществ с одинаковой кристаллической решеткой, если коэффициенты £1^.2 иотличаются не очень сильно. Величина и направление потока вакансий могут существенно отличаться от предсказанного критерием (3-24) при различной степени структурной неравновесности веществ А\ и Л2. Например, для пар равновесных (массивных) материалов Со—Бе и Со—№ поры появляются при диффузии Со в Ре и №. Если на массивную равновесную подложку кобальта осадить в вакууме слой Ре или №, то при последующем диффузионном отжиге поры образуются в кобальте (рис. 3-13). Минимум микротвердостн на кривой 2 для вакуумного конденсата, нанесенного на поверхность литого образца кобальта, свидетельствует о наличии на глубине 5—10 мкм под этой поверхностью повышенной концентрации пор. Для практических целей на поверхность керамических изделий с развитой сеткой границ между элементами структуры и свободных поверхностей часто наносят слои металла. В контакте друг с другом могут находиться также диэлектрические и металлические слои с существенно различной степенью структурной неравновесности и т. п. Возникает процесс днф-84 \ *' фузиониой гомогенизации, который может приводить к существенному перераспределению существующих зон пористости и созданию новых за счет интенсивных потоков вакансий, возникающих в процессе диффузионного перемешивания. Диффузия под влиянием электрического поля. Тонкие металлические и изолирующие пленки на поверхности подложки или приповерхностные слои в полупроводнике в активных и пассивных элементах микросхем в рабочем состоянии находятся под воздействием электрических полей: внешних или внутренних, создаваемых в результате неоднородностей структуры или состава. 107Н(мг 400Л Рис. 3-13. Изменение микротвердостн Н^с изменением расстояния х при переходе через границу Ре/Со для литого (/) и образца с пленкой Ре (2) [14]. Свойства электропереноса в объемных металлических проводниках рассматриваются подробно в обзоре [15] и монографии [16]. Если металл помещен в электрическое поле, то на ионы в кристалле действуют две силы. Одна из них FE является электростатической: FE~Z0qE,(3-25) где — Zog заряд иона; Е—напряженность электрического поля. Другая сила F/ вызвана взаимодействием иона с потоком свободных носителей заряда, движущихся в электрическом поле. Эти носители заряда, сталкиваясь с ионом, передают ему свой импульс. В результате воз
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 41 42 43 44 45 46 47... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
