Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3 4 5 6... 139 140 141 142
|
|
|
|
аспект микроэлектроники, безусловно, является решающим при технологической реализации любого, пусть даже весьма совершенного, конструкторского или схемотехнического замысла. Сейчас уже нет недостатка в журнальных статьях, написанных с этой позиции. Этого, к сожалению, нельзя сказать о монографиях, хотя, разумеется, появилось немало книг, отражающих научно-технические достижения в каждом из упоминавшихся выше направлений в отдельности. Однако до настоящего времени не предпринимались попытки показать глубокую и неразрывную связь технологического и материаловедческого аспектов микроэлектроники. Предлагаемая вниманию читателей книга является одной из первых в мировой литературе монографий, посвященных матерпаловедческим проблемам в микроэлектронике. В этой книге ярко и убедительно показано, что для решения проблемы создания современных микроэлектронных приборов и устройств необходимо знать физико-химические обоснования технологических процессов и иметь ясное представление о явлениях, протекающих в пленочных элементах во время их эксплуатации. Авторы последовательно, с единых позиций анализируют процессы и явления в материалах, выполняющих в микроэлектронике разнообразные функции во многих системах — от проводников н резисторов до магнитных матриц, криотронов, оптоэлектронных систем, больших интегральных схем и. т. п. Существенно, что этот сложный и многоплановый материал, столь необходимый современному инженеру, работающему в области микроэлектроники, представлен в подробном и доступном изложении. В целом книга посвящена, скорее, принципам, чем деталям технологических процессов, благодаря чему авторам практически удалось избежать субъективных оценок, имеющих место в литературе по технологии микроэлектроники, связанных с конкретными производственными условиями, спецификой оборудования и методов измерений. К числу несомненных достоинств книги следует отнести то, что в ней последовательно и систематически проводится новая концепция, согласно которой многочисленные и на первый взгляд разрозненные физико химические процессы в микроэлектронике могут быть поняты с единых позиций современной физики твердого тела. Вместе с тем, стремление авторов отразить новейшие достижения по таким вопросам, как представление о характере сил межатомного взаимодействия на поверхности и о природе и типах структурных перестроек атомов в поверхностных слоях, по которым в литературе не существует единой точки зрения, привело к тому, что отголоски этих неустоявшихся представлений проявились в соответствующих разделах книги. Необходимо, однако, отдавать себе отчет в том, что столь необъятную и быстро развивающуюся область, как материаловедение в микроэлектронике, чрезвычайно сложно осветить в одной книге. При подборе материала авторам пришлось сосредоточить внимание лишь на некоторых важнейших вопросах, не нашедших еще достаточно подробного отражения в литературе. К их числу относится изучение атомной и электронной структуры реальной поверхности, разновидностей дефектов в тонкопленочных системах, а также исследование физических процессов, протекающих при кристаллизации тонкопленочных слоев с участием химических реакций или высокоэнергетических частиц, например, при катодном распылении и др. Существенно, что при изложении этих вопросов, выявляя определяющие физические факторы, авторы постоянно указывают, какие именно аспекты важны в том или ином варианте технологии. Кроме того, детально описаны механизмы ряда процессов, обычно относившихся в технологии микроэлектроники к числу чисто практических вопросов, например диффузионные явления и процессы растекания на поверхности пленка — подложка, свойства переходного слоя и т. п. Сказанное дает основание рекомендовать эту книгу технологам-практикам, работающим в области микроэлектронной технологии, а также исследователям-разработчикам новых вариантов этой технологии. Несомненно, что написанная, как и предшествующие книги, опубликованные Л. С. Палатником с коллегами и учениками, с исключительным чувством научной перспективы эта работа будет встречена с заслуженным вниманием и принесет несомненную пользу широкому кругу специалистов в области микроэлектроники. Доктор технических наук Л. И. Трусов.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3 4 5 6... 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
