Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 36 37 38 39 40 41 42... 140 141 142
|
|
|
|
Для введения дислокаций несоответствия требуетсй, однако, наличие источников дислокаций. Если таких источников нет или они не действуют в данных условиях, то и при /гЛкр несоответствие будет продолжать компенсироваться упругим способом. Кристалл А1 в виде островков или в виде сплошной протяженной пленки будет в этом случае находиться в неустойчивом состоянии. Последнее может перейти в равновесное, соответствующее минимуму свободной энергии, либо за счет введения дислокаций несоответствия, либо из-за разрушения или даже плавления пленки [129]. Эпитаксиаль-\ный слой, с! \Я6 ПодложтЪ-Ъ=-^\[01\ а" а Рис. 3-6. Схема введения дислокации несоответствия в межфазную границу при наличии обычной дислокации, пронизывающей пленку и подложку после (б) и до релаксации несоответствия (а). Простой механизм введения дислокаций несоответствия связан с раздвиганием дислокаций, проходящих через оба кристалла (рис. 3-6). Исходной является дислокация, пересекающая поверхность раздела под углом 45°С и имеющая вектор Бюргерса 1/2а [101]. Такие дислокации часто наблюдаются при сопряжении двух кристаллов с ГЦК решеткой по плоскости (001). Высокий уровень деформации в кристалле Л] может вызвать раздвижение этой дислокации в плоскости границы раздела. Появившийся участок СС представляет собой участок дислокации несоответствия. Аналогичным ]їїодложті \ ) I а а)б) Рис. 3-7. Введение дислокации несоответствия за счет движения дислокации подложки. а —дислокация пронизывает островок; б —дислокация выходит за пределы островка по плоскости скольжения, образом вводятся дислокации несоответствия в островки— кристаллы А\ на поверхности подложки — кристалла Лг, имеющие форму шаровых сегментов (рис. 3-7). При этом часть дислокации ай, пронизывающая островок, выводится, смещаясь в плоскости скольжения ей за его пределы. На границе раздела вводится дислокация несоответствия. Другой механизм введения дислокаций несоответствия связан с зарождением дислокаций у свободной поверхности на краях островка, вблизи которых локализованы большие сдвиговые напряжения. В пленках Аи/Рх, например, при сопряжении по плоскости (001) присутствуют дислокации с векторами Бюргерса 1/2а [ПО] и 1/2а [ПО], с помощью которых несоответствие параметров компенсируется в 2 раза эффективнее, чем упоминавшиеся дислокации с вектором Бюргерса -^-о[Ю1]. 3-2. диффузия и электродиффузия через поверхность раздела Если конденсированные фазы, граничащие по общей поверхности раздела, представляют собой два вещества различной химической природы, то на поверхности раздела имеют место скачок концентраций каждого из веществ и скачок химического потенциала. Такая система является неравновесной. Поэтому на границе раздела двух фаз, имеющих различную химическую природу, возможен процесс диффузии. Закономерности диффузии. Диффузионный поток / через площадку 5 границы раздела / = 4~~ЗГ' где ^ — количество вещества, проникшего через эту площадку за время (М. В соответствии с первым законом Фика где й — коэффициент диффузии, т. е. поток / пропорционален градиенту концентрации в направлении нормали к границе раздела. Знак минус в (3-7) означает, что движение атомов происходит в направлении уменьшения концентрации. Атомы вещества Ау движутся че;рез поверхность раздела в вещество А2. Имеется также встреч
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 36 37 38 39 40 41 42... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
