Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 34 35 36 37 38 39 40... 140 141 142
|
|
|
|
Равновесное значение 8 — величины упругой деформации при Сопряжении ДВух реШеТОК С Периодами й\ и а2 равно: (1_2у)(2-А)(1 + А)0, . 8яа(1 — V) (2 — Д)йО,Д ^ Х?1п [2р(1+Г)1/2-Г1-(3-2) Здесь Д=(а2—а\)1а.1 — несоответствие решеток с периодами а\ и а2; у=Ч1—ч2 (т. е. коэффициенты Пуассона для обоих кристаллов принимаются одинаковыми). Рис. 3-2 иллюстрирует зависимость межфазной энергии от параметра р. Отношение ~— , ,п\~а.г . может служить мерой не / V2 ("1 +"г)К соответствия параметров решетки кристаллов А1 и Л2; увеличение р означает рост несоответствиярешеток и увеличение межфазной поверхностной энергии Е в соответствии с кривой 1. Предельное значение Е", при р-*-оо: р —с°з Появление дислокаций несоответствия уменьшает энергию межфазной границы на величину, характеризуемую на рис. 3-2 отрезком РР{. Кривая 2 на рис. 3-2 описывает зависимость энергии упругого взаимодействия двух решеток, а кривая 3 — энергии дислокаций несоответствия. При несоответствии, меньшем некоторого критического АКр, компенсация достигается упругим способом. При А1АКр энергетически более выгодно наличие дислокаций несоответствия. При А1Д„р дислокации несоответствия вводятся, начиная с некоторого значения толщины /г=/гкр сплошной пленки. В изолирован ,,о т------/ Рис. 3-2. Зависимость энергии Е поверхности раздела от параметра р\ характеризующего несоответствие сопряженных решеток. / — общая энергия Я; 2 — упругая энергия; 3 — энергия несоответствия решеток. ный островок дислокации несоответствия вводятся по мере увеличения его размера в плоскости подложки (рис. 3-3). В простейшем случае, когда механические свойства обоих кристаллов одинаковы (08=С1—й2 и у=У1=Уг) /гКр изменяется с увеличением отношения а2\а.\, как это показано в (3-3). Номера дислокаций 2 3 4 5 В 7 8 3 10 10' 20304-0 Поперечник островков Ь, ни Рис. 3-3. Зависимость упругой деформации е от размера островка. Последнее означает, что ситуация на границе раздела непрерывно меняется при увеличении толщины любого из кристаллов, если эта толщина соизмерима с периодом решетки /г/а!^20. Псевдоморфизм возможен лишь при толщине, меньшей некоторой критической: (4яО,02 (я2— я,)1 _ °'ь 1п\ (О, + о2)ОЛ1-у) + / Лкр~2тигаД (1 +2у)(01 + 02)' ^~6 4т Здесь Ъ — вектор Бюргерса дислокаций несоответствия, определяемый как Ь = 2а1а2/(а1 + а2). При заданной величине несоответствия Д энергия межфазной поверхности изменяется в зависимости от величины упругой деформации е следующим образом (рис. 3-4). Увеличение равномерной упругой деформации тонкого кристалла на поверхности массивного кристалла А2 приводит к росту энергии упругой деформации ЕА^-х) и Еа(1г2) для двух значений толщины тонкого
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 34 35 36 37 38 39 40... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
