Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 33 34 35 36 37 38 39... 140 141 142
|
|
|
|
пикающими йа границе, разделяющей две кристаллические решетки, можно ознакомиться на модели Ван-дер-Мерве [11]. Рассмотрим границу раздела двух кристаллов А и В (бикристалла) с одинаковым типом кристаллических решеток, параметры идентичности которых а и Ь отличаются друг от друга на небольшую величину (0,2%). Через поверхность раздела осуществляется сильное взаимодействие между атомами, прилегающими с обеих сторон к этой границе. В этом случае модуль сдвига в плоскости поверхности имеет тот же порядок величины, что и в объеме бикристалла по обе стороны от Рис. 3-1. Модель дислокаций несоответствия на поверхности раздела Р(2. этой поверхности. Несоответствие периодов решеток компенсируется за счет упругой деформации обеих граничащих друг с другом решеток. Если условия деформации таковы, что однородно по толщине искажается решетка лишь одного из граничащих друг с другом кристаллов, то говорят о явлении псевдоморфизма. Такая ситуация возникает, например, в тончайших эпи-таксиальных пленках некоторых веществ, сросшихся с поверхностью массивного монокристалла. Упругое искажение решетки одного или обоих граничащих друг с другом кристаллов может происходить лишь до определенных пределов. Поэтому в модели Ван-дер-Мерве вводится понятие о дислокациях несоответствия — линейных дефектах, возникающих на межфазной границе. Эти дислокации появляются при наличии несоответствия параметров решетки, и они способствуют компенсации такого несоответствия. В простейшем случае двух одномерных решеток с периодами а1 и а2 расстояние между двумя соседними дислокациями / равно:1)а2, где # —число атомных плоскостей (вертикальных линий на рис. 3-1) между двумя соседними дислокациями. При наличии дислокаций несоответствия уровень упругих искажений, возникших на границе раздела, понижается. Исходя из анализа сил, действующих на границе раздела, находят условия (величину упругих искажений, плотность дислокаций несоответствия и др.), при которых межфазная поверхностная энергия минимальна. Решетки кристаллов А1 и Л2 описываются как два случая деформирования решетки кристалла В с параметром решетки с (с разным знаком деформации). В этом случае /=#а1=(ЛГ+1)а2==(^+1/2)с.(3-1) Кристалл Л] представляет собой решетку кристалла с, подвергнутого однородному растяжению; период решетки _(У+1/2) "1— дг с Соответственно решетка кристалла А2 получается за счет однородного сжатия кристалла с: N+1/2 Сопрягающиеся решетки, у которых большинство плоскостей являются продолжением друг друга (см. рис. 3-1), приходят в соответствие друг с другом благодаря деформации сдвига, распространяющейся на некоторую глубину по обе стороны границы. Напряжения сдвига меняются вдоль этой границы по синусоидальному закону. Энергия поверхности раздела в простейшем случае связана с несоответствием параметров решетки и механическими свойствами следующим образом: Е = {1 + р (1 + Г)"2 ? Ш [2Р (1 + Р*)'" 2р*1}, -^ = (1_у1)01+(1-у,)С„ где С8, Оь С2 — модули сдвига на поверхности раздела в граничащих кристаллах Ль Л2; VI иу2 — коэффициенты Пуассона для этих кристаллов.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 33 34 35 36 37 38 39... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
