Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 32 33 34 35 36 37 38... 140 141 142
|
|
|
|
ная (с помощью водородных связей) вода удаляется с поверхности БЮг при 300—320°С. Выше этой температуры на поверхности окисла остается лишь координационно-связанная вода, которая удаляется при нагревании до 500—700°С. Возможны три различных вида комплексов: 1)с одиночными ОН-группами, в которых расстояние между протонами йр около 0,5 нм. Подобные комплексы занимают примерно 1/4 всей поверхности БЮг, 2)парные группы ОН, связанные с одним или двумя соседними атомами Эк ^р^0,25^-0,26 нм. Между соседними парными группами ОН расстояние й около 0,5— 0,52 нм. Комплексы такого типа занимают примерно 30% поверхности; 3)сложные комплексы, насчитывающие в своем составе три или более гидроксильных радикалов с расстояниями между ними йр=0,25-*-0,26 нм. Подобными сложными комплексами занято до 45% поверхности. Между близко расположенными гидроксильными группами возможно образование водородной связи. Водородные мостики такого типа хорошо известны для кристаллогидратов А1203. На гидратированные поверхности А120з в зависимости от его структуры (а—АЬОз — корунд и дефектная шпинель) наблюдаются комплексы с участием групп ОН и Н. При высокой концентрации ОН-групп на поверхности между ними возникает взаимодействие за счет образования водородной связи той или иной степени прочности. Разрушение связей между отдельными радикалами ОН в комплексе с ОН-группами наступает соответственно для п$гЗ вблизи 800 К, для п=2 при 950 КВыше 950 К остаются лишь изолированные (п—1) группы ОН. На поверхности у—А1203 с помощью ИК спектров обнаруживается пять различных типов комплексов, содержащих группы ОН. Наличие взаимодействия между гидроксильными группами может приводить к возникновению своеобразных поверхностных доменов гидратации. В этом случае гидратный покров окислов будет причиной существенной неоднородности поверхностных свойств. Водород в группе ОН может быть замещен простыми или сложными химическими комплексами. Вследствие этого замещения образуются поверхностные эфиры. На этом явлении основано химическое модифицирование поверхности [10], в частности гидрофобизация. Гидро ксильиые группы, таким образом, являются основными центрами адсорбции, взаимодействующими с адсорбируемыми молекулами различных веществ по механизму водородной связи [5]. Глава третья ПОВЕРХНОСТЬ РАЗДЕЛА ДВУХ ТВЕРДЫХ ФАЗ 3-1. СВОЙСТВА ПОВЕРХНОСТИ РАЗДЕЛА ПРИ ОТСУТСТВИИ ВЗАИМНОГО ПРОНИКНОВЕНИЯ ГРАНИЧАЩИХ ФАЗ В гл. 2 рассматривались физические и химические свойства поверхности, являющейся границей раздела между твердым телом и газовой фазой (в пределе — с вакуумом). Было показано, что неравновесное состояние атомов и ионов на поверхности, возникшее вследствие нарушения симметрии зарядов, масс и взаимодействий на ней, релаксирует в результате образования искаженного приповерхностного слоя. Однако "смещенная" или "перестроенная" поверхность все еще является неравновесной. Дальнейшее приближение к равновесному состоянию достигается за счет компенсации нарушения симметрии на поверхности в процессе адсорбции отдельных атомов, молекул и образования поверхностных комплексов. Подобное состояние, однако, также еще не является полностью равновесным. Об этом свидетельствует ряд процессов, спонтанно протекающих на поверхности: смачивание поверхности жидкостями, нарастание на поверхности твердых слоев и, в частности, окисление поверхности. Наличие всех этих процессов показывает, что следующей ступенью приближения к равновесию из исходного состояния атомарно-чистой поверхности являются нарастание жидких и твердых пленок и превращение поверхности в границу раздела двух конденсированных фаз: жидкой и твердой или двух твердых фаз. Появление химически чужеродного слоя, жидкой или твердой пленки нарушает химическое равновесие на границе раздела. Ниже рассматривается ситуация, когда на межфазной границе отсутствуют взаимная диффузия или химические реакции. Природа сопряжения двух кристаллических решеток на границе раздела. С элементарными явлениями, воз-5*67
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 32 33 34 35 36 37 38... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
