Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 29 30 31 32 33 34 35... 140 141 142
|
|
|
|
виться несколькими равноценными в энергетическом отношении способами, то, как правило, возникают домены, в пределах которых объединены элементарные ячейки с одним типом компенсации. "Смещенная" поверхность ЫаС1 в этом плане представляется "однодоменной". Од-нодоменный характер ее обусловлен наличием лишь единственного микроскопического механизма смещения поверхности. 2-2. АДСОРБЦИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ Дальнейшее приближение к равновесию возможно в результате использования для компенсации нарушения симметрии чужеродных атомов, адсорбирующихся на атомарно-чистой поверхности. Массы, атомные размеры и другие ионные и электронные свойства адсорбированных атомов могут отличаться от соответствующих свойств атомов поверхности. Поэтому явления, происходящие при адсорбции, создают возможность приближения поверхности к равновесному состоянию. Асимметрия компонентов и сил, участвующих в их взаимодействии при адсорбции и химических реакциях на поверхности, компенсирует асимметрию, созданную появлением поверхности. Результатом процесса адсорбции и химических реакций на поверхности является так называемая "реальная" поверхность. "Реальная" поверхность представляет собой поверхность, химически перестроенную в результате возникновения или исчезновения поверхностных слоев, сопровождаемого изменением химического состава. Образовавшаяся "реальная" поверхность в определенных условиях может существовать без заметных изменений в течение длительного времени. Появление и стабильное существование реальной поверхности указывает на достижение максимально возможной в данных условиях компенсации нарушения физической симметрии твердого тела поверхностью. Прямые наблюдения с помощью метода ДМЭ обнаруживают при хемосорбции восстановление нормальной гибридизации орбиталей, свойственной объему кристалла. Подобные явления наблюдаются, например, при адсорбции на поверхности элементарных полупроводников кислорода, иода, брома, воды, а также некоторых металлов. Адсорбция г-типа фАдсорбция s-mu.no. ^ Двойной, электрический^) спой О Ион металла Вместе с тем опыты по изучению химической активности таких поверхностей указывает на их пассивацию после окисления, гидратации или адсорбции на атомарно-чистой поверхности других атомов и ионов. Локальный характер компенсации нарушения симметрии кристалла вблизи поверхности проявляется при адсорбции еще более сильно, чем при смещении или перестройке атомарно-чистой поверхности. При локальном механизме компенсации нарушения симметрии поверхности наиболее существенным является вопрос образования на поверхности элементарных комплексов, включающих чужеродные адсорбированные атомы. Опыты по адсорбции тщательно осушенного кислорода на германии показывают, что атомарно-чистая поверхность практически не взаимодействует с сильно осушенным кислородом. Для того чтобы кислород активно адсорбировался, необходимо присутствие в газообразной среде вблизи поверхности некоторого количества паров воды. Эксперименты по адсорбции водорода, кислорода, воды и других более сложных соединений, образующих сильные полярные связи, выявляют важную роль водорода в явлениях адсорбции. Адсорбция водорода. Наиболее простым случаем, рассмотренным количественно, является адсорбция атомарного водорода на металлической поверхности [1, 2]. Адсорбированные на поверхности металла атомы водорода в зависимости от их позиции делят на г и я-атомы: г-атом водорода расположен над атомом металла на поверхности, я-атом помещается между внешней границей двойного электрического слоя и внешним слоем атомов металла (рис. 2-11). Оптимальное положение г-атома над поверхностью определяется наличием квантовомеханического взаимодействия, соответствующего основному состоянию, возбужденному нейтральному состоянию (металл— нейтральный водород Ме—Н), состоянию (Ме~—Н+) с положительно заряженным водородом и состоянию (Ме+—Н_). Приближение атома водорода к поверхности лимитируется ростам энер О ') Адсорбция г-типа ® о*,° Абсорбция Б-типа О О 'О Ион металла Рис. 2-11. Схема позиций адсорбированного атома водорода на поверхности металлического кристалла а — поперечный разрез; б — плоскости поверхности.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 29 30 31 32 33 34 35... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
