Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3 4 5... 139 140 141 142
|
|
|
|
6Ф2.13 П ¡4 УДК 621.382—181.4в Палатник Л. С, Сорокин В. К. П 14 Материаловедение в микроэлектронике. — М.: Энергия', 1977.— 280 е., пл. (Электронное ма'е-риаловедение). В книге освещены основные вопросы материаловедения в области микроэлектроники Рассматриваются поверхностные свойства полупроводников металлов и диэлектриков, вопросы адсорбции на поверх-¿7™, паров, вопросы диффузии и приповерхностный слои примесей а также методы нанесения и свойства пленочных материалов: проводящих, сверхпроводящих, магнитных, резистивных пленок и эпитакспальиых пленок кремния. и инженепно Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-техническич работников, а также может служить в качестве учебного пособия по' еретическим проблемам конструирования и производства микросхем для студентов и аспирантов вузов. 30Ш-028__6Ф2.13 6г,Н01)-78 -"Й Нз,і:і гельство "-Энергия", 1978 г. ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА В течение длительного времени микроэлектроника развивалась в основном по двум почти непересекающимся направлениям. С одной стороны, создавались и совершенствовались технологические методы изготовления микроэлектронных приборов н схем, а с другой — широким фронтом проводились фундаментальные исследования физических свойств пленочных систем. Не получив конкретных технологических применений, эти исследования первоначально неодобрительно рассматривались приверженцами первого направления. Постепенно стало выясняться, что чрезмерный "эмпиризм" в технологии оправдан далеко не всегда. Иногда такой подход порождает излишний оптимизм в отношении устройств, технология которых содержит принципиальные "генетические" недостатки физико-химического происхождения, а иногда, напротив, приводил к недооценке перспективных направлений лишь на том основании, что при первых попытках их реализации возникали трудности, казавшиеся непреодолимыми. Окончательно сомнения в необходимости разумного синтеза указанных направлений развеялись после того, как в результате глубоких исследований свойств твердых тел, и в первую очередь их поверхностных свойств, а также изучения физических характеристик материалов в тонкопленочном состоянии были созданы совершенно новые типы приборов, например полевые транзисторы, приборы зарядной связи, приборы, основанные на плазменных эффектах в твердых телах, и т. п. Фактически в последние годы произошла серьезная "перестройка" психологии технологов, работающих в области микроэлектроники. Поводом к этому послужило бесчисленное количество примеров, доказывающих, что материаловедческий
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3 4 5... 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
