Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 26 27 28 29 30 31 32... 140 141 142
|
|
|
|
графита. Однако и при низких температурах для большей части поверхностных атомов с оборванными связями происходит регибриди-зация орбиталей. Химические соединения с преимущественно ковалент-ной связью. Свойства поверхности соединений АШВ¥ близки к свойствам поверхности Б! и бе. Однако плоскостью спайности в отличие от последних для них является плоскость (ПО). Поверхность (ПО) соединений АШВ¥ (для 1п5Ь, 1пАэ, ОаАэ и йаБЬ) относится к "смещенным" поверхностям. На этой поверхности атомы металлов III группы смещены под поверхность по направлению к нижележащему слою. Атомы элементов V груп | | | | | | | ©О©О©0е(7) а) ♦ ♦ т т © © © © • I \ I I ) I ) I 0©0©0©0© в) Рис. 2-8. Образование смещенной поверхности (100) ионного кристалла. пы смещаются в направлении от нижележащего слоя перпендикулярно поверхности [1]. В соединениях АЦВ¥1 атомарно-чистая поверхность (ПО) может быть получена раскалыванием в вакууме. На ней не обнаруживается "смещенных" или "перестроенных" структур. Для кристаллов веществ группы А1¥В¥1 (РЬБ, РЬБе, РЬТе) плоскостью спайности является плоскость (100). На этой поверхности смещенных или перестроенных структур обнаружено не было [21]. В этом отношении вещества А1¥В¥1 более близки к соединениям с преимущественно ковалентной связью (как АШВ¥), чем к ионным кристаллам. Грань ионных кристаллов (100) относится к "смещенным" поверхностям [6] (рис. 2-8). -Поверхность (100), являющаяся плоскостью спайности, содержит положительные ионы, сдвинутые внутрь по направлению к нижележащему слою, и отрицательные ионы, приподнятые над слоем положительных ионов, так как их смещение внутрь поверхности значительно меньше, чем у катионов [7]. 54 Смещение подобного вида затрагивает примерно пять слоев, прилегающих к поверхности. Из окислов с ковалентной связью наиболее подробно изучен 5Ю2. Поверхность ЭЮг, полученная раскалыванием в вакууме, может обладать полирадикальными свойствами. Плоскость раскола (101) содержит атомы кислорода с одним свободным электроном, соединенные с поверхностью одной связью, а также атомы 51 с одной оборванной связью. Плоскость гексагональной призмы также содержит атомы Б1 с одной оборванной связью. На этой поверхности возможно также существование атома с двумя оборванными связями. / О*О I./ }—О— 81—О—С Э—в!—СЯ!* II I/ \ ^г\ОО Iл-/ ш Хг / \ -/ V / V \ ^ ЖжЖ Рис. 2-9. Схема поверхностных комплексов на БЮг. Эксперименты по определению ЭПР диспергированного в чистых условиях (вакуум около Ю-8 Па) кварца свидетельствует, однако, что концентрация свободных радикалов составляет 2хЮ12 см-2. Отсюда следует, что большая часть оборванных связей замыкается, образуя специфические поверхностные связи. Возможно, например, образование связи между оборванными радикалами I и II типов (рис. 2-9). Возникновение подобной связи сопряжено с существенным искажением поверхности из-за сильного отталкивания двух соседних атомов 51. Величина этого отталкивания пропорциональна их эффективному положительному заряду. Объединение оборванных связей типов /// и IV возможно с образованием новой регибридизированной связи типа VI (рис. 2-9) [5].
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 26 27 28 29 30 31 32... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
