Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 24 25 26 27 28 29 30... 140 141 142
|
|
|
|
энергия, необходимая для разрыва поверхностной связи двух спаренных атомов, мала (£сВ^"4,12-103 Дж/моль). Для 51 и йе (у которых энергия деформации меньше, чем для алмаза) возникает большой выигрыш при образовании перестроенной парной связи. Энергия, необходимая для разрыва этой перестроенной связи, равна 8,4—8,8-104 Дж/моль, поэтому на поверхности (100) Q Поверхностные атомы q О в то мы подповерхностью Рис. 2-3. Расположение поверхностных атомов на реальной (а) и идеальной поверхности (100) кристалла со структурой алмаза (б, в). алмаза спаривание атомов с искажением поверхностной упаковки дает малый вклад в формирование поверхности. В то же время на поверхностях и йе возникает существенное искажение. Поверхность 51 и йе с ориентировкой (ПО) изучена мало. Исходя из общих соображений предполагают, однако, что эта поверхность искажена слабо (рис. 2-4). Энергетический подход к образованию поверхностных структур позволяет сделать выбор между различными структурами, предполагаемыми исходя из экспериментального изучения дифракции медленных электронов на поверхности. Перекрытие волновых функций электрона, принадлежащих Рис. 2-4. Расположение поверхностных атомов на плоскости (110) кристалла со структурой алмаза. / — поверхностные атомы с "выступающими" электронами; 2 —атомы под поверхностью. разорванным\ поверхностью связям, может приводить к образованиючкак сильной, так и слабой связи. В образовании обоих типов связи существенную роль должна играть предыстория получения атомарно-чистой поверхности. Поэтому систематическое экспериментальное изучение поверхности с 'помощью метода ДМЭ выявляет большой набор различных поверхностных структур. 0^,0^0,0^0^0 °*%0*^0*°.СЧ0"0 о ®^о^\/о о с^р о 132 Рис. 2-5. Поверхностная структура йе (111)—8. / — верхний слой атомов, приподнятых над поверхностью; 2 — опущенные под поверхностью атомы; 3 — атомы лежащего ниже второго слоя; стрелки укалывают направления смещений атомов второго слоя. На атомарно-чистой поверхности Si и Ge с ориентацией (111) наблюдается поверхностная структура Si (111) — IX ^3 [17]. Для этой структуры характерно наличие на поверхности доменов, двумерные элементарные ячейки которых ориентированы на этой поверхности в трех различных направлениях с углом между ними 120°. Элементарная ячейка имеет один нормальный размер (такой же, как и в объемной_элементарной ячейке). Второй размер увеличен в ]/3 раз по сравнению с соответствующим размером объемной элементарной ячейки. Области поверхности (111) образца вблизи его края искажены существенно больше, чем поверхность (111) в центре образца. После термической обработки при 300°С структура Ge типа Ge (111) —IX ]/з переходит в структуру Ge (111) —12. Кроме этой поверхностной структуры наблю-4*51
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 24 25 26 27 28 29 30... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
