Материаловедение в микроэлектронике






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение в микроэлектронике

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 20 21 22 23 24 25 26... 140 141 142
 

нию проявляется лишь у селена. Расположение структурных комплексов в кристаллической решетке селена (рис. 1-21) иллюстрирует причины высокой склонности селена к стеклообразованию. Селен способен образовывать ряд стеклообразных смесей с элементами IV и V групп (Аэ—Бе, ве—5е, Р— Бе). Аналог селена по подгруппе — сера не обладает стеклообразным состоянием. Известны стекла на основе серы лишь в одной ("массивной") системе Аэ—5 (рис. 1-22). В системах типа 51— В^1 стеклообразным может быть только ЭЮг. Дисульфид кремния в тех же условиях в виде стекла не получается. В системах йе — В^1 окись германия устойчиво существует в стеклообразном состоянии. Дисульфид германия в виде стекла может быть получен лишь в некоторых предельных условиях и очень неустойчив. В то же время (Зевег обычно не удается получить в виде стекла. Типичным примером химической системы со стекло-образованием может служить система Аз—йе—Эе. Стекла на основе Аэ—йе—Бе могут рассматриваться как полимеры, увязанные ковалентными связями в непрерывную структурную сетку [43]. Селен представляет собой элемент, ответственный за образование связей шарнирного типа. Валентности элементов, составляющих стекло, насыщены. Атомные группировки в сетке стекла распределены статистически равномерно. Реакция стек-лообразования записывается следующим образом: л5е + /пОе+рАз=(Ое5е4/2)т(АэБез/^рХ X (Эе—5е)„_2т-1,5р. Индексы п, т и р обозначают содержание элементов в атомных процентах. При изменении состава стекла экстремальная точка на кривых зависимости свойств от состава появляется в условиях, когда исчезают селеновые цепочки. Это происходит в области составов п= =Зт-\1,85р. Уменьшение содержания 5е приводит к формированию связей типа Аб—Аэ или циклических типа Азг—5е, так как атомы 5е в основном связываются с бе (связь типа йе—Эе). Дальнейшее уменьшение концентрации Бе вызывает появление связей Аэ—ве. Этот переход описывается соотношением п=2т-\-0,65р. При п—0,65р стеклообразование уже не имеет места. Всею в системе Аб—-Ос—Бе имеется четыре области, для которых характерны различные структурные комплексы. Переход от преимущественно ковалентной связи в системе Аэ—Ое—Бе к связи с возрастающей долей металлической связи (металлизация связи) резко сокращает область составов, для которых возможно стеклообразное состояние [43]. Среди стекол, обладающих полупроводниковыми свойствами, представляют интерес стекла составов АэгЗег-*, АэгЗе^хТех и СеАэЗе^жТеж. Эти стеклообразные полупроводники могут существовать в области составов, определяемой изменением х Т12ТеТ12ЬТ128еТ12Те ^—\ \ \ \ \ К Ч V 1 \уХ/ А528е3/\ Ж ' / /' \^\\ \ \\ \ \ \ \ \ \ ЭЬ2Те3 5Ь,53 5Ь28е3 ЗЬ^Тез 1.33 Кры. -талли чваши Рис. 1-23. Область составов в системе —X—и Аэ—X—Т1, где X—Б, Бе, Те, при которых соединение существует в стеклообразном состоянии. в пределах 0^дг,^1. При нагревании они могут кристаллизоваться. Склонность к стеклообразованию в системе Аэ—5е—М, где М — металл I—IV групп, может быть иллюстрирована относительной шириной области аморфного состояния для металлов I—IV групп (рис. 1-23). Наибольшей склонностью к стеклообразованию обладают системы Аэ—5е—Те. Области существования аморфной и кристаллической фаз в системах Аэ—X—БЬ и Аэ—X—Те, где Х=5, Бе, Те, показаны на рис. 1-23. Халькогенидные стекла, как правило, являются аморфными полупроводниками и в настоящее время находят применение в микроэлектронике. Рис. 1-24 иллюстрирует зависимость электрических свойств этих стекол от температуры.
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 20 21 22 23 24 25 26... 140 141 142

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Новые сварочные источники питания: Сб. науч. тр.
Общетехнический справочник
Упрочнение и отделка деталей поверхностным пластическим деформированием: Справочник
Материаловедение в микроэлектронике
Технология и свойства спеченных твердых сплавов и изделий из них. Учебное пособие для вузов
Вентиляция рабочих мест в сварочном производстве
Сварка порошковой проволокой

rss
Карта