Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 16 17 18 19 20 21 22... 140 141 142
|
|
|
|
последовательности в укладке атомов в плоскостях (111). Вместо обычной последовательности ABC—ABC возникает последовательность АВСАВСВСАВ. Дефект упаковки подобен двойниковой границе (111) и имеет энергию того же порядка. Последовательность укладкн атомных слоев через двойниковую границу составляет АВСВСВАСВА. Полоса дефекта упаковки между частичными дислокациями Е и N имеет тенденцию расширяться. Это обусловлено отталкиванием друг от друга дислокаций Е и N, находящихся в одной й той же плоскости (111). Поскольку энергия плоской обла АВВ САВ ВСА ABC nf+2 СА __В__ /77+7 В _СС тААА /77-/ССС ttt~2 ВВВ ААА а)е)в) Рис. 1-17. Чередование слоев {111} в ГЦК решетке при нормальной последовательности (а), при наличии деформационного ДУ типа вычитания (б), для двойного деформационного ДУ типа внедрения (в), при ДУ роста (с двойниковым ДУ) (г). Рис. 1-18. Частичная дислокация (111) с вектором Бюргерса Ь=0 у двойниковой границы. а — в решетке алмаза; б — в ГЦК решетке [белые и черные кружки соответствует атомам (ионам), расположенным на различной высоте относительно плоскости про#кции]. Рис. 1-19. Макет сложного двойникового комплекса в соединениях AlnBv. СТИ нарушения пропорциональна ее площади, устанавливается равновесный размер области, например, для а1%5 нм. При приложении сдвигового напряжения в плоскости (111) по направлению [011] весь комплекс, объединяющий обе дислокации и полосу дефекта упаковки как единое целое, сместится на расстояние -||-[011]. Подобный структурный комплекс называют растянутой (расщепленной) дислокацией. При . приложении силы в направлении [211], т. е. перпендикулярно [011], происходит изменение ширины полоски. Ее уменьшение может иметь своим следствием рекомбинацию частичных дислокаций. Возможно также расширение полоски. Дефектом упаковки (ДУ) называют любое отклонение от нормальной (соответствующей типу симметрии) последовательности в расположении атомных слоев. Примеры нарушенного расположения атомных слоев показаны на рнс. 1-17 [50]. Дефекты упаковки делят на дефекты типа внедрения (рис. 1-17,в) и вычитания (рис. 1-17,6). В зависимости от происхождения дефектные упаковки могут быть деформационными н ростовыми. Частичные дислокации упругого типа возникают в решетке с порядком упаковки типа АВСАВС прн отсутствии ограниченного участка одного из монослоев. На краях этой области находятся краевые а дислокации с вектором Бюргерса [111], направленным перпендикулярно плоскости (111). Так как подобная дислокация может двигаться в плоскости (111) лишь неконсервативно (путем переползания), ее называют "сидячей" дислокацией. В решетке типа алмаза имеется целый ряд специфических особенностей, влияющих на формирование и виды дислокаций [51]. Двойниковая граница в решетке типа алмаза может иметь, например, такой вид, как на рис. 1-18,а. Между частями решетки, имеющими двойниковые позиции, располагается дефект, не являющийся дислокацией (его вектор Бюргера равен нулю). Структура этого дефекта наглядно иллюстрируется на примере более простой ГЦК решетки (рис. 1-18,6). По одну сторону имеется последовательность слоев АВСАВА, по другую—противоположная ей последовательность АВАСВА. Дефект можно рассматривать как комбинацию одного ряда частичных вакансий и одного ряда частичных между-узельных атомов. В кристаллах полупроводников, кроме простых двойниковых образований первого порядка относительно исходного кристалла, могут существовать двойники высокого порядка. На рнс. 1-19 изобра-' жена модель двойникового комплекса, иллюстрирующего ориентации индивидов [52]. Индивиды А и В оба являются двойниками первого порядка относительно исходного кристалла. Индивид С представляет собой двойннк первого порядка относительно В, двойник второго порядка относительного исходного кристалла и двойник третьего порядка относительно А. В реальных
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 16 17 18 19 20 21 22... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
