Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 14 15 16 17 18 19 20... 140 141 142
|
|
|
|
типа сфалерита. Здесь 1/3 катонных позиций остается в решетке вакантной, причем такие "стехиометрпчеекпе" вакансии иногда целесообразно рассматривать наряду с компонентами А и В, как третий псевдокомпонент (□) в соединении СЗ^УСз1. Указанный пример представляет своеобразный тип полупроводникового соединения, которое насыщено непривычно большим количеством "стехиометрнче-ских" вакансий, изменяющих и физические свойства полупроводникового соединения, В "структурах разрыхления" (структура Шоттки) часть атомов решетки из узлов внутри кристалла перемещается на его поверхность, где они достраивают кристаллическую пешетку (рис. 1-11,0.) а) 'Є)в)г) ___ глш ж) I • о-/ 9-2 Ш-3 £1-^-4-—5 /'В ¿-7 Рис. 1-11. Характерные типы точечных дефектов в различных тинах кристаллической решетки [46]. Структуры: разрыхления (а) (дефекты по Шоттки); деления (б); вычитания (в); разрыхления и вычитания (г); смещения (дефекты по Френкелю) (д); взаимозамещения (е); замещения примесями (ж); внедрения (з): /— атомы (ионы): 2 — подрешетка атомов (ионов) со статистическим распределением; 3 — примесные атомы (ионы): 4 — вакансия в узлах, 5 — между-узлия; 6, 7 — смещение атомов с образованием вакансий в структурах разрыхления и вычитания. [46]. В сложных соединениях прн отклонении от стехиометрического состава (соответствующего строгой химической формуле соединения) в подрешетке компонента, находящегося в недостатке, возникают вакансии. Подобные структуры называют структурами вычитания (рис. 1-11,в). К точечным дефектам, возникающим при попадании атома в несвойственную ему позицию, относятся "структуры смещения" (дефекты по Френкелю): здесь атом покидает узел решетки н переходит в междуузлие. В решетке возникают одновременно два точечных дефекта: вакансия и междуузельный атом (рис. 1-11,5). В большинстве кристаллических решеток -размер междуузлия значительно меньше, чем размеры атомов, из которых образована решетка. Это особенно характерно для плотно упакованных решеток (металлов), (рис. 1-12). Линейные, плоские и объемные дефекты. Кроме точечных дефектов, в кристаллической решетке встречаются линейные дефекты — дислокации. Наиболее просто образование дислокации можно пояснить на примере примитивной кубической решетки, в которой "вытащен" целый ряд атомов в определенном кристаллографическом О Узлы (•) Тетриодрическии междуузлия (_) Октаэдричиикии междуузлия Рис. 1-12. Октаэдрические и тетраэдрические пустоты в плот-ноупакованной кубической решетке. Рис. 1-13. Схема краевой дислокации (Ь — вектор Бюргерса). направлении. Подобный одномерный дефект можно количественно описать с помощью контура и вектора Бюргерса (рис. 1-13). Сопоставление контуров, один пз которых проведен вокруг совершенной части кристалла, а другой — в области, содержащей дислокацию, показывает, что в последнем случае контур оказывается незамкнутым. Замыкающий такой контур отрезок Ь называют вектором Бюргерса
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 14 15 16 17 18 19 20... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
