Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 13 14 15 16 17 18 19... 140 141 142
|
|
|
|
Используя соотношение и110я = ехртг ШяТС)' где у=8,7 (рис. 1-9), можно вывести аналитическую зависимость для и (к): ; 3-Ю6 ехр 19 + ^макс (1-10) Поскольку колебания решетки ответственны не только за рассеяние носителей заряда, по также за атомную теплопроводность А, то величина КМЛ, соответствующая атомной теплопроводности при комнатной температуре, также является однозначной функцией К [24] (см. рис. 1-7): 111КМ^Аехр (-Р'Х).(1-П) Здесь Л — предэкспоненциальный множитель: рл=4,7; А!а — средняя атомная масса. Закономерность (1-1Ц справедлива также іа"7дж 7,5-10 5,040 г.5 Рис. 1-10. Зависимость энергии магнитного взаимодействия kTc как функция параметра иониости Я. дтя тройных соединений (см. рис. 1-7). Для магнитной восприимчивости х ионпо-ковалентных кристаллов справедливо соотношение [33] 10"X = -(Z + Z') + 86,1 (щ-^ (1-Х).(1-12) Здесь б — асферичность электронного ковалентного распределения [33]. В случае ферромагнетиков температура Кюри Тс также является для бинарных соединений простой функцией а(рис. 1-10). Например, для ряда соединений, кристаллизующихсяв решетке, ЫаС1 [24]: ^(3/2)^(1-А) _(мз) Здесь рм — магнетон Бора; Н — величина внутреннего молекулярного поля в теории Вейса; к — константа Больцыаиа. Определение влияния электронной подсистемы, участвующей в образовании межатомной связи, на структуру кристалла и его физико-механические свойства требует конкретизации представлений о пространственном распределении электронной плотности и этой электронной подсистеме [18, 34—46]. 1-2. ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ В реальных кристаллах идеальная симметрия кристаллической решетки, как правило, претерпевает козмущающее воздействие различных внешних факторов. Наиболее очевидным возмущающим воздействием является, например, тепловое движение атомов, составляющих решетку. Уменьшение симметрии может возникнуть в процессе теплового расширения тела, а для некоторых веществ при определенных температурах может возникнуть и полная перестройка решетки с существенным изменением характера симметрии (явление полиморфизма). Кроме того, тепловое движение служит причиной появления точечных дефектов, например, вакантных узлов решетки и между-узельных атомов, равновесная концентрация которых в решетке растет с температурой. Механические воздействия приводят к деформации кристаллической решетки, в процессе которой могут появляться деформационные нарушения симметрии. В частности, при этом в кристалле возникают точечные, линейные, двумерные и трехмерные дефекты кристаллического строения. Локальные "ростовые" дефекты — нарушения симметрии кристаллической решетки — могут возникать уже на стадиях ее зарождения и роста при кристаллизации, вакуумной конденсации или фазовых превращениях в твердом состоянии. Точечные дефекты. Точечными называют дефекты, которые возникают при наличии в кристаллической решетке атомов, расположенных в несвойственных для симметрии идеальной решетки позициях. К таким дефектам относят атомы, занявшие междуузельные позиции или узлы подрешетки, принадлежащие другому компоненту данного твердого тела. При отсутствии атомз в узле решетки одного из основных компонентов твердого тела говорят о наличии вакантного узла или вакансии, которые отсутствуют в идеальной решетке, В отличие от этих "случайных" вакансий существуют стехиометрп-ческие закономерно расположенные вакансии, которые являются равноправным элементом структуры наряду с атешамн, составляющими данную кристаллическую решетку. Стехиометрнческие вакансии встречаются, например, в "дефектных" фазах типа В12иС^1 (В111: йа, 1п; Су1 : Б, БеТе), в подрешетке В которых только два из трех узлов закономерно заняты атомами сор-га ВГ1Т, а третий узел остается вакантным. Некоторые подобные соединения характеризуются тетраэдрнчеекой координацией и кристаллизуются в решетке
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 13 14 15 16 17 18 19... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
