Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 12 13 14 15 16 17 18... 140 141 142
|
|
|
|
является единственным и совпадает с фактической шириной запрещенной зоны. Для элементарных полупроводников [24] ^=^=7)^-0,63).(1-8) Здесь — стандартная теплота образования кристалла из атомов, деленная на число Лвогадро #д. Эта энергия соответствует сумме энергий Е1, е2, 83, ..., 8с, необходимых для удаления всех С электронов связи атома с их орбиталей. На рис. 1-8 приведена зависимость Еа от средней энергии (З/бС от1,53-10 Дж Рис. 1-7. Атомная теплопроводность бинарных и тройных соединений как функция параметра нонностн Я. Рис. 1-8. Ширина запрещенной зоны элементарных полупроводников как функция средней энергии СЦйС, приходящейся на один атом (г) — число валентных электронов) полупроводников с одним н тем же значением числа валентных электронов т) (4 для Б!, Се, Бп; б для БЬ; 6 для Б, Бе, Те) ложатся на одну прямую. Большой разброс для п=5 (Аэ н Р) следует приписать, по-видимому, трудности экспериментального определения Еа для этих элементов. Вклад Е, металлических атомов М в бинарных соединениях следует определять из (1-8). Стандартная теплота образования для металлических атомов в ковалентном состоянии соединения МХ в настоящее время неизвестна. Это затруднение обходят, полагая, что она мало отличается от С для четвертой группы металлов при тетрадричеекой координации в ковалентном состоянии МХ. Сопоставление с экспериментом показывает, что Е{ мало отличается от еоот ветствующих значений Ёо81, йе, Бп. Ионный вклад £2 мало меняется при изменении природы атома X. Поэтому на зависимости Ей(к) точки для соединений, имеющих общий атом металла, ложатся на одную прямую линию (см. рис. 1-6). Стандартная теплота образования для молекул типа Х2 по (1-8) может быть найдена из стандартных теплот образования молекул Х„ (например, Р2, СЬ, Вг2). Подвижность носителей заряда при рассеянии на акустических, т. е. электрически неактивных, колебаниях решетки зависит от а следующим образом [24]: "ак = "о ехр (—рЧ),(1-9) где ы„=3-106 см2/(В-с), р=9,6 Иан соответствует максимальной подвижности на рис. 1-9 при к=Ха. Зависимость (1-9) хорошо описывает данные для соединений АШВ\ А1|ВУ1 н АГВУ11. Результаты для элементарных полупроводников 81, йе и соединений А1УВУ1 выпадают из Рис. 1-9. Зависимость полярной подвижности в соединениях МХ от относительной полярности 7е/7емакс (я); акустической подвижности ("ак) от параметра ценности Я (б). этой картины, так как для них нужно учитывать ряд других факторов [32]. В ионно-ковалентных соединениях может быть введена тляриая подвижность ипол для того, чтобы реальная подвижность и определялась из соотношения 1%и = ^иаК—^Нпол"пол не зависит от X, т. е. от це/с, она зависит лишь от относительной полярности, или вели-чины (7в/с)/(7е/с)макс = ^в/^™№С. Так как эффективный заряд це меняется в пределах от + я до —т, то ^г/^^чрс = ц^/п при 70; 1е/чТКС = — Я/т при 7 0.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 12 13 14 15 16 17 18... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
