Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 139 140 141 142
|
|
|
|
129.Палатник Л. С, Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М., "Энергия", 1973. 295 с. 130.Палатник Л. С, Косевич В. М., Сорокин В. КО механизме эпитаксиальцого роста PbTe/NaCl. — "ФТТ", 1968, т. 10, вып. 8, с. 2465—2468. 1131. Гарофаль Ф. Законы ползучести и длительной прочности металлов и сплавов. М., "Металлургия", 1968. 132. Получение и исследование тонких пленок EuS. — "Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы", 1973, т. IX, № 1, с. 42—45. Абт.: Л. С. Палатник, Г. В. Лошкарев, В. К. Сорокин, В. Е. Марин-чева, Л. П. Зозуля. 1313. Палатник Л. С, Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М., "Наука", 1972. 319 с. 134. Richter н., Breitling G. Verschiedene Formen von amorfhen Selen. —"Z. Naturforsch.", 1971, Bd 26a, № 10, S. 1699—1707. 1135. Набитович H. Д., Осипова В. В. Микротвердость селеновых слоев и их аморфная структура. — "Физична електроиика", 1970, № 2, с. 74. 436. Асадов Ю. Г. О кинетике роста кристалла гексагонального Se из монокристаллов моноклинного при структурном превращении. — "Кристаллография", 1969, т. 14, № 2, с. 356. 137. Болотов И. Е., Муравьев Е. А. Начальные стадии кристаллизации сферолитов Se и механизм их образования. — "ФТТ", 1966, т. 8, № 5, с. ІІ685. ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие редактора...........3 Предисловие..............° Глава первая. Атомное строение твердого тела ...11 1-1. Межатомные связи и свойства материалов ....11 11-2. Дефекты кристаллического строения.....29 1-3. Аморфное и стеклообразное состояния ....37 Глава вторая. Поверхность как особая область твердого тела...............47 2-1. Атомарио-чистая поверхность ....47 2-2. Адсорбция иа поверхности........60 Глава третья. Поверхность раздела двух твердых фаз67 3-1. Свойства поверхности раздела при отсутствии взаимного проникновения граничащих фаз.....67 3-2. Диффузия и электродиффузия через поверхность раздела.............75 3-3. Реактивная диффузия.........90 Глава четвертая. Поверхность твердого тела в контакте с жидкой фазой...........95 4-1. Межфазные явления "а границе расплав—твердое тело95 4-2. Физико-химические процессы иа границе раздела раствор — твердое тело..........Ю4 Глава пятая. Основы вакуумного материаловедения .108 5-|1. Формирование в вакууме газодинамических потоков и молекулярных пучков.........108 5-2. Ионно-плазмеиный метод в микроэлектронике . .115 5-3. Неравновесные состояния в пленках.....125 Глава шестая. Пленочные материалы......143 6-1. Проводящие пленки..........143 6-2. Магнитные пленки..........161 6-3. Сверхпроводящие пленки........174 6-4. Резистивные пленки.........181 Глава седьмая. Химические методы иаиесеиия пленок .196 7-11. Выращивание эпитаксиальных пленок методом химической кристаллизации.........196 7-2. Дефекты кристаллического строения в эпитаксиальных пленках............210 7-3. Легирование эпитаксиальных пленок в процессе роста223 Глава восьмая. Проблемы материаловедения в области пленарной микроминиатюризации......228 8-1. Современные методы планарной технологии в микроэлектронике ............228 8-2. Создание и использование активированного состояния при обработке материала ионными пучками . . .238 8-3. Световые и электронные лучки и их воздействие на материалы............249 Список литературы............268
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |