Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 138 139 140 141 142
|
|
|
|
#7. Чистяков Ю. Д. Некоторые вопросы теории и технологий получения эпитаксиальных слоев. — В кн. : Научные труды по проблемам микроэлектроники. Эпитаксия, М., изд. МИЭТ, вып. IV, 1069, с. 36—60. 88.Дорфмаи В. Ф., Белокоиь М. С. О механизме кристаллизации германия из газовой фазы. — В кн. : Рост кристаллов Т. VIII. М., "Наука", 1968, с. 155—162. 89.Черияев В. Н., Кожитов Л. В. Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе. М., "Энергия", 1974. 90. Несовершенства в кристаллах полупроводников. М., "Металлургия", 1964. 302 с. 9L Родес Р. Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М., "Металлургия", 1968. 92.Jaccodine R. J. Stacking faults in epitaxial material.— "Appl. Phys. Letters.", 1963, vol. 2, p. 201. 93.Букер Г. Р., Джойс Б. А. Начальные стадии зарождении и рост эпитаксиальных слоев кремния при использовании метода молекулярного пучка.— В кн.: Рост кристаллов. Т. VIII. М., "Наука", 1968, с. 131—140. 94.Мендельсон С. В. Монокристаллические пленки. М., "Мир", 1966. 282 с. 95.Смородииат А., Георгиев А. И., Родевич В. А. Влияние особенностей движения газового потока на морфологию эпитаксиальных слоев Ge. — В кн.: Рост кристаллов. Т. VIII. "Наука", 1968, 198 с. 96.Гиваргизов Е. И., Костюк Ю. Г. Управление выращиванием ориентированных кристаллов. — В кн.: Рост кристаллов. Т. IX. М., "Наука", с. 242—248. 97. Рентгенодифракциоииое изучение дислокационной поверхности раздела автоэпитаксиальных слоев Si. — "ФТТ", 1971, т. 18, № 9, с. 2827. Авт.: В. М. Альтшуллер, А. С. Фонин, Ю. С. Павленко, Н. И. Юдин. 98.Fischer Н. Electrolitische Abscheinung und Elektrokristalliza-tion von Metallen. Springer Verlag, Berlin, 1959, 324 S. 99.Любое Б. Я-, Плахотиик В. Г. Расчет распределения примеси в эпитаксиальной пленке в зависимости от закона изменения ее толщины во времени. — "Кристаллография", 197!, т. 16, № 5, с. 989. 100.Болтакс Б. И. Диффузия в полупроводниках. Физматгиз, 19611. 356 с. 101'. Мейер К. Физико-химическая кристаллография. М., "Металлургия", 1972. 478 с. 102.Rumf Н. Problemstellungen und neuere Ergebnisse der Bruchtheorie. — "Material Prüfung", 1961, Bd 3, S. 253. 103.Гарбер Р. И., Федореико А. И. Фокусировка столкновений и радиационные нарушения в кристаллах. — В кн. : Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев, "Наукова думка", 1967, с. 34. 404. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., "Мир", 1974. 105. Ормоит Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М., "Высшая школа", 1973. il06. Чернов Д. К. Сталелитейное дело. СПб, 1898. 107. Tamman G. Kristallisieren und Schmelzen. Leipzig. 1903. 108.Семеичеико В. К. Избранные главы из теоретической физики. М., 1966. 109.Сирота H. Н. Кристаллизация и фазовые превращения.— Минск, "Наука и техника", 1971, с. 333. 110.Бочвар А. А., Кузнецов Г. М. О зависимости отношения теплоты плавления к температуре плавления от порядкового номера элемента. "ДАН СССР", 1954, т. 98, с. 219. 111.Родо М. Полупроводниковые материалы. М., "Металлургия", 1971. 230 с. 112.Плешивцев Н. В. Катодное распыление. М., Атомиздат, 1968. 343 с. МЗ. Леичеико В. М., Пугачева т. с. Распределение по пробегам динамических краудионов и фокусонов, возникших в пиках смещения. — В ки. : Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев, "Наукова думка", 1967, с. 55. '114. Брауи У. Обзор экспериментальных данных по эффекту каналирования.— В кн. : Легирование полупроводников ионным внедрением. М., "Мир", 197!, с. 9—23. HilS. Мейер Дж. У. Ионное легирование полупроводников: нарушения кристаллической решетки и электрические свойства легированных слоев.—В кн. : Легирование полупроводников ионным внедрением. М., "Мир", 1971, с. 243—271. 11)16. Аидерсон У. У. Локализация примесных атомов в узлах решетки при иониом легировании. — В кн. : Легирование полупроводников иоииым внедрением. М., "Мир", 1971, с. 165—178. 117.Кляйфельдер У. Дж., Джоисои У. С, Гиббоис Дж. Ф. Распределение примесей, внедренных ионной бомбардировкой в кремний.— В ки. : Легирование полупроводников ионным внедрением. М., "Мир", 197!, с. 65—73. 118.Кив А. Е., Умаров Ф. Т. Активация гетеродиффузии и самодиффузии в кристаллах в поле ионизирующих излучений.—В кн. : Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев, "Наукова думка", 1967, с. 88—91. 1И9. Глотеи Ф. М. Влияние температуры на поведение ионов фосфора при облучении кремния. — В кн. : Легирование полупроводников ионным внедрением. М., "Мир", 1971, с. 1110—121. 120 Мотт Н., Герии К. Электронные процессы в ионных кристаллах. ГТИЛ, 1939. 394 с. 121.Мейкляр П. В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. М., "Наука", 1972. 497 с. 122.Молоцкий M. Н., Латышев А. И. Международный конгресс по фотографической науке. М., 1970. 123.Stockey S. D., Shuler F. W. Ultraviolet and X-ray irradiation effects on special photosensitive glass. IV Congr. Int. du Verre. Paris, 1956, VII—5, 2—7. 124.Weyl W. A. Colored glasses. — Publ. by Soc. of Glass Technology, 1951, p. 10—14. 125.Бережной A. И. Ситаллы и фотоситаллы. M., "Машиностроение", 1966. 348 с. 1126. Фойгт И. Стабилизация синтетических полимеров против действия света и тепла. Л., "Химия", 1972, 543 с. 127.Вишииков Б. А., Осипов К. А. Электроннолучевой метод получения тонких пленок из химических соединений. М., "Наука", 1970. 97 с. 128.Гариер В. Е. Химия твердого состояния. М., Изд-во иностр. лит., 1961. 275 с.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 138 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
