Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 11 12 13 14 15 16 17... 140 141 142
|
|
|
|
возникновении молекулы МХ. Например, в случае 2п9 атом серы в соответствии с определением атомной ион ности должен после образования четырех парноэлек-тропных связей (с=4) сохранить шесть электронов (какв изолированном атоме серы). Атому неметалла при образовании ковалентной связи должно принадлежать с{\-\-к) электронов, и это согласно определению ко для 2п5 равно с(1+Яо)=6, т. е. А,о=!/2. В общем случае [33] А.= 1—~-(Ь2) Величину к называют кристаллической ионностью и определяют как долю "блуждающих" электронов, приходящуюся на атом X при состоянии с ионной и ковалентной связью. При наличии обоих типов состояний атом М теряет це электронов, т. е. его реальный эффективный заряд равен це (формула М+^Х-?), а величина к равна: Я = Я0 + -^.(1-3) Соотношение (1-3) получают, полагая це=с(\+к)— —с(1+Яо), где первый член есть число валентных электронов атома X в реальном случае, второй — в гипотетическом случае без перестройки электронной оболочки [33]. Например, для ХпЪ: 7„=1, сг=4,Я = -2-+-^-=0,75; для 1п5Ь: 7ея^0; к^0,25. Для чисто ионных соединений (например, ЫР) 7едкО,80; к=0,9. Эффективный заряд находят, учитывая взаимную поляризацию ионов в соединении [31]: 7, = -" \^+-)А\'(М) ^)Л\.(1-5) Здесь 1, г и 1', г' — соответственно число электронов и радиус иона (по Полингу) для катиона и аниона. Константа А определяется из условия, что для германия и. олова 7е=0; она равна 11,85-Ю-4. Подставляя в (1-3) соотношения (1-4) и (1-5), получаем: Я=1—усопи.(1-6) Для широкой группы полупроводниковых соединений основные полупроводниковые свойства: атомная теплопроводность К, ширина запрещенной зоны Еа и подвижность и носителей заряда — являются в первом приближении однозначной функцией кристаллической ионно-сти к [33]. Рис. 1-6 и 1-7 иллюстрируют графическую зависимость Ес, К от величины кристаллической иошюсти для наиболее широко используемых в микрон оптоэлектроннке простых, бинарных н тройных полупроводниковых соединений. Аналитически эти зависимости выражаются соотношением іе£0-ігЕ.=л(іе£,-іе£і).(1-7) Здесь Е\ — вклад в ширину запрещенной зоны ковалентного состояния, а Еі—ионный вклад. Е\ определяется аналогично вкладу ковалентного состояния в ширину запрещенной зоны чисто ковалентних элементарных полупроводников, для которых этот вклад
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 11 12 13 14 15 16 17... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
