Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 137 138 139 140 141 142
|
|
|
|
39.Палатник Л. С, Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм I образования и субструктура конденсированных пленок. М., "Наука", Ц1972. 320 с. 40.Paschley D. W., Stowell M. J. Electron microscopy structures in evaporated films of gold.—"Phyl. Mag.", 1964, vol. 10, p. 127—134. 41,. Палатиик Л. С, Москалев В. M., Косевич В. М. Исследование структуры поликристаллических и монокристаллических конденсатов сурьмы.—"Физика металлов и металловедение", 1963, т. 16, № 5, с. 723—727. 42.Валиев К. А., Кармазинский А. Н., Королев М. А. Цифровые интегральные схемы на МДП транзисторах. М., "Советское радио", 1971. 383 с. 43.Иванов-Есипович И. К. Технология микросхем. М., "Высшая школа". 1972. 255 с. 44.Майоров С. А., Скворцов А. М. Технология производства вычислительных машин. М., "Высшая школа", 1973. 373 с. 45.Микроэлектроника. Под ред. проф. И. П. Богородицкого. М., "Советское радио", ,1966, 453 с. 46.Интегральные схемы. Под ред. КИ. Мартюшова. М., "Советское радио", 1970. 592 с. 47.Курносое А. И., Воронков Э. Н. Полупроводниковая микроэлектроника. М., Военное изд-во МО СССР, 1973. 238 с. 48.Петч Н. Успехи физики металлов. М., Металлургиздат, 1958, 80 с. 49.Вук Р., Шонинг Ф. Р., Витт Ф. Монокристаллические пленки. М., "Мир", 1966, с. 91—96. 50.Murr L. Е., Inman M. С. Single crystal films. — "Phil. Mag.", 1966, vol. 14, p. 135—148. f " 51. Hoffman R. W., Anders F. J., Crittenden E. C. Investigation (j)f Си films. —"J. Appl. Phys.", 1953, vol. 24, p. 231—237. 52.Wilson R. W., Terry L. E. JC metallization systems. — "A comparison electronic packaging and production". Sec. 2, PMC 29; October, 1970. 53.Hag KE., Behrandt KH., Kobin I. Adhension mechanism of gold under layer film combination to oxide substrates. — "J. Vac. Sci. Techn.", 1969, vol. 6, p. 148—153. 54.Фишер Дж., Холл П. Материалы контактов для тонкопленочных резисторов. — В кн. : Технология толстых и тонких пленок. М., "Мир", 1972, стр. 46—48. 55.Метьюз Дж. У. Монокристаллические пленки. М., Мир, 1966. 202 с. 56.Уивер К. Диффузия в металлических пленках. — "Физика тонких пленок". М., "Мир", 1973, т. VI, 334—389. 57.Elliot R. P. Constitution of binary alloys. I st suppl., McGrow Hill, 1965, № 4. 58.Blois M. S. Preparation of thin magnetic films and their properties. — "J. Appl. Phys.", 1955, vol. 26, p. 970—974. 59.Либорски E. E., Маккэри P. О. Материалы для магнитных пленок "Технология толстых и тонких пленок. М., "Мир", '1972, с. Мб—НЮ. 60.Иелсон А. Взаимодействие в многослойных магнитных структурах. — "Физика тонких пленок. М., "Мир", т. VI, с. 228—326. 61.Фукс М. Я-, Козьма А. А. Рентгенографическое исследование дефектов упаковки в деформированном пермаллое. — "Физика металлов и металловедение", 1964, т. 17, с. 760. 62.Лесник А. Г. Магнитные свойства Пленок NiFe. — "Физика металлов и металловедение", 1963, т. 15, с. 175. 63.Чопра К. П. Электрические явления в тонких пленках. М., "Мир", 1972. 434 с. 64.Лазарев Б. Г., Семеиченко E. Е., Тутов В. И. Стабилизация сверхпроводящего Ве примесью Al. ДАН СССР, т. '204, № 4, с. 837. 65.Newhouse V. L. Applied superconductivity. Wiley. N. Y., 1964. 66.Mayer H. Physik dünner Schichten. Bd 2. Wissenschaftliche Verlag. Stuttgart, 1955. 67.Hanak J. I. Metallurgy of advanced electronic materials. — "AIME", 1962, vol. 19, p. 161. 68.Grover R. E., Chosh S. K-, Daniels W. E. Basic problems in thin film physics. Ed. Göttingen, van den Hoeck, Rueprectt, 1966. 69. Сверхпроводимость полупроводников и переходных металлов. M., "Мир", 1972. Авт.: М. Коэн, Г. Глэлстоун, М. Иенсен, Дж. Шриффер. 70.Абрикосов А. А., Горькое Л. П. К теории сверхпроводимости сплавов с парамагнитными примесями. — "ЖЭТФ", 1960, т. 39, 17811—1787: 71.Matthias В. Progress in low température physics. Vol. 2. Amsterdam, 1957. 72.Линтон Э. Сверхпроводимость. M., "Мир", 1964. 347 с. 73.Уайте К. КСилицидные резисторы для интегральных схем. — В кн. : Технология толстых и тонких пленок. М., "Мир", 1972, с. 53—57. 74.Блатт Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах". М., "Мир", 1971: 470 с. 75.Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., "Мир", 1974. 466 с. 76.Gerritsen А. N. Handbuch der Physik. Berlin, 1956, Bd XIX. Metallic Conductivity. 77.Сюше Ж. П. Физическая химия полупроводников. М., "Металлургия", 1969. 224 с. 78.Гладышевский Е. И. Кристаллохимия силицидов и германи-дов. М., "Металлургия", 1971. 296 с. 79.Войтович Р. Ф. Тугоплавкие соединения. Справочник. Киев, "Наукова думка", 1971. M5 с. 80.Кондратов H. М., Аммосов Р. М. Исследование вакуумных конденсатов резистивных сплавов. — "Электронная техника", 1973, вып. 4, с. 62. 81.Füller W. D. Titanium thin-film circuits — "IRE Intern. Convention Record", 1962, vol. 10, № 6, p. 305. 82.Шефф Г. Химические газотранспортные реакции. М., Изд-во иностр. лит., 1964. 396 х. с ил. 83.Лютович А. С, Харченко В. В. Физико-химические аспекты эпитаксиального роста пленок моноатомных полупроводников из газовой фазы. — "ФАН", Ташкент, 1970, с. З1—33. 84.Куров Г. А. О росте слоев германия из газовой фазы.— *Физика твердого тела", 1961, т. 3, с. 2080. 85.Гиваргизов Е. И. Кристаллизация германия и кремния из переохлажденных капелек и возникновение дефектов в эпитаксиаль-ных слоях. — "Физика твердого тела", 1964, т. 6, с. 1804. 86.Палатник Л. С, Папиров И. И. Эпитлксиальные пленки. М., "Наука", 1971.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 137 138 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
