Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 136 137 138 139 140 141 142
|
|
|
|
34.Кинематика электронных процессов. М., Изд-во МГУ, 1952. 124 с. Авт.: А. Н. Фрумкин, В. С. Богацкий, 3. А. Иофа, Б. Н. Кабанов. 35.Томашов Н. Д. Теория коррозия и защиты металлов. М., ГХИ, 1959. 189 с. 36.Carasso J. I., Faktor M. M. Electrochemistry of semiconductors. Acad. Press, N. Y. — Lond., 1962, 205 p. 37.Тананаев И. В., Шпирт М. Я. Химия германия. М., "Химия", 1967. 398 с. 38.Катаев Г. А., Розанов Л. Н. Поведение германия в щелочных растворах перекиси водорода. Труды Томского университета им. В. В. Куйбышева. Сер. химич. 1962, выл. 154, с. 119. К гл. 5—8 /Г. Векшинский С. А. Новый метод металлографического исследования сплавов. М., Гостехиздат, 1944. 230 с. 2.Суворов А. В. Термодинамическая химия парообразного состояния. Л., "Химия", 1970. 200 с. 3.Гольдфингер Р., Дженком М. Масс-спектрометрическое изучение термодинамических свойств соединений элементов III—V и II—VI групп периодической системы.— В кн.: Успехи масс-спектро-скопии. М., Изд-во иностр. лит., 1963, с. 522. 4.Пашиикии А. С. О молекулярном составе и давлении пара халькогенидов подгруппы Zn. — "Журнал неорг. химии", 1962, т. 7, с. 1632—1636. 5.Изучение поведения сульфидов Bi и Sb и селенида Sb при возгонке в вакууме. — "Вестник МГУ", 1967, № 2, с. 54—58. Авт.: Г. Г. Господинов, Б. А. Пояовкин, А. С. Пашинкин, А. В. Новоселова. 6.Палатиик Л. С, Сорокин В. К. Полупроводниковые пленки переменного состава. — В кн. : Соединения переменного состава. Под ред. Б. Ф. Ормонта. Л., "Химии", 1969, с. 465—512. 7.Кулик И. С. Термическая диссоциация соединений. М., "Металлургия", 1969. 573 с. 8.Gingerich. Mass-spectrometric investigation of gas phase reactions during sublimation. — "J. of Crystal Growth*, 1971, vol. 9, p. 31—45. 9.Палатник Л. С, Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М., "Энергия", 1973. 295 с. 10.Лурье Л. С, Старое Ф. Г., Филаретов Р. А. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М., "Советское радио", 1975. 160 с. Ш. Дэшмаи С. Научные основы вакуумной техники. М., "Мир", 1964. 715 с. 12.Тамм И. Е. Квантовая теория поля и гидродинамика. — "Труды ФИАН", 11965, т. 29, с. 239—1247. 13.Романов Г. С, Пустовалов В. КРазлет вещества от интенсивно испаряющейся поверхности металла. — "Изв. АН БССР. Сер. физ.". 1968, № 4, с. 84—87. 14.Аиисимов С. И. Об испарении металла, поглощающего лазерное излучение. — "Журнал эксперим. и теор. физики", ,1968, 54, № 1. 15 Вулис П. А. Термодинамика газовых потоков. М.—Л., Г'ЭИ 1950. 340 с. 16.Абрамович Г. Н. Прикладная газодинамика. М., Гостехиздат, 1953. 590 с. с ил. 17.Палатиик Л. С, Федоров Г. В., Комиик Ю. Ф. Распределение конденсата на плоскости при испарении металла из цилиндрического тигля. — "Известия АН СССР. ОТН", 1957, т. 193, № 1'. 18.Каминский М. Атомные и ионные столкновения иа поверхности металла. М., "Мир", 1967. 224 с. 119. Плешивцев Н. В. Катодное распыление. М., Атомиздат, 1968. 343 с. с ил. 20. Матсен Л. И. Нанесение тонких пленок катодным распылением.— В кн. : Физика тонких пленок. 1968, т. 3, с. 58—1134. 21 Pol P., Fluit J., Kistermaker J. Sputering of Cu by bombardment with ions of 5—25 kv. — "Phys.", 1960, vol. 26, p. 1009—1017. 22.Берри P., Холл П., Гаррис M. Тонкопленочная технология. М., "Энергия", 1972. 335 с. 23.Thommen К. Ober die Zerstobung von Kristallen durch Ka-nalstrahlen. — "Z. Phys.", 1958, Bd 151, S. 144. 24.Иванов P. Д. Катодный метод создания пленочных элементов микросхем. М., "Энергия", 1972. 109 с. 25. Травление диэлектриков ионной, бомбардировкой. — "ДАН СССР". 1957, т. 114, с. 1001—(1008. Авт.: Г. В. Спивак, В. И. Крохин, Т. В. Яворская, Ю. А. Дурасов. 26.Dillon J. A., Oman R. М. Ion-bombardment etching of silicon and Ge. —"J. Appl. Phys.", 1960, vol. 31, p. 26. 27.Janeff W. Herstellung von Metallnitriden der Glimmenladung und einige ihrer Eigenschaften. — "Z. Phys.", 1955, Bd 142, S. 619— 624. 28.Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. M., "Мир", 1970. 654 с. 29.Вииецкий В. А., Холодарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов н дефектов в полупроводниках. Киев. "Наукова думка", 1969. 187 с. 30.Phillips W. В., Desloge Е. A., Skofronick J. G. Formation of the thin films. —"J. Appl. Phys.", 1968, vol. 39, p. 3210—3216. 31.Bethe H. On the nucleation in thin films. — "J. Vacuum Sci. Technob, 1969, vol. 6, № 4, p. 460—472. 32.Shakraverty В. K. Condensation of In on the silicium surface. — "J. Cryst. Growth", 1971, vol. 13/14, p. 178. 33.Cinti R. C, Chakraverty В. K. The growth of silver films on solica in ultra-high vacuum. — "Surf. Sci.", 1972, vol. 30, № 1, p. 109. 34.Стриклаид-Констебл P. Ф. Кинетика и механизм кристаллизации. Л., "Недра", 1971, 308 с. с ил. 35.Halpern V. Cluster growth and Island density in thin films.— "J. Appl. Phys.", 1969, vol. 40, p. 4627—4636. 36.Бартои В., Франк Ф., Кабрера Н. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхности. — В кн.: "Элементарные процессы роста. М., Изд-во иностр. лит., 1959, с. 11—109. 37.Палатник Л. С, Сорокин В. К., Зозуля Л. П. Механизм роста изолированных частиц при эпитаксии халькогенидов свинца на NaCl и КО. — "Физика твердого тела", 1969, т. IT, вып. 5, с. 1265—1269. 38. Субструктурные ступенчатые переходы на начальных стадиях роста РЬТе на NaCl. — "ДАН СССР", 1968, т. 182 (1), с. 80— 84. Авт.: Л. С. Палатник, В. М. Косевич, Л. П. Зозули, В. К. Сорокин.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 136 137 138 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
