Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 135 136 137 138 139 140 141 142
|
|
|
|
44.Прянишников В. П. Ковалентная модель кремнезема и общие закономерности процесса стеклообразования. — В кн.: Стеклообразное состояние. Ленинград, "Наука". 197!, с. 5К 45. О полупроводниковых фазах переменного состава. — В кн. : Соединения переменного состава. Под ред. Б. Ф. Ормонта. Ленинград, "Химия", 1969, с. 414—464. Авт.: Л. С. Палатник, В. М. Кошкин, Е. К. Белова, Е. И. Рогачева. 46.Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М., "Высшая школа", 1973. 555 с. 47.Родес Р. Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. М., "Металлургия", 1968. 296 с. 48.Коттрелл А. Дислокации и пластическое течение в кристаллах. М., Металлургиздат, 1963. 277 с. 49.Heidenreich R. D., Shockley W. Report of conference on strength of Solid. Bristol. Phys. Soc. L. 1948, p. 57—59. 50.Вишников Я. Д. Дефекты упаковки в кристаллической структуре. М.. "Металлургия", 1970. 216 с. 51.Hornstra J. Dislocation in diamond lattice. — "J. Phys. Chem. Solids", 1958, vol. 5, № 6, p. 129—141. 52.Kohn J. A. Twinning in diamond structures. — "Highorder twinning in Si.", Amer. Mineralogist, 1956, vol. 41, № 9/10 p. 778—786. 53.Read N. Т., Schockley W. Grein boundaries in semiconductor Imperfection in Nearly Perfect Crystals. N. Y., J. Wieley, 1952. К гл. 2—4 1.Грин M., Ли M. Дж. Простые комплексы на поверхностях полупроводников. — В кн. : Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М. Грин. М., "Мир", 1972, с. 155—(189. 2.Хориути Д., Тоя Т. Хемосорбция водорода. — В вн. : Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М. Грин. М., "Мир", 1972, с. 11—97. 3.Seiwatz R. Solid surfaces proc. Intern. Conf. Phys. and Chemistry Solid Surfaces. North —Holland Publ. Co. Amsterdam, 1964, p. 473—482. 4.Oxygen adsorption on Si surface observed via electron, spin resonans. — "J. Appl. Phys.", 1964, vol. 35, p. 2254—2259. In: K. A. Müller, P. Chan, P. Keleiner, D. W. Ovenal, M. J. Sparneaay. 5.Киселев В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М., "Наука", 1970. 399 с. 6.Weyl W. A. Structure and properties of solid surfaces. Chicago, Univ. Press, 1953, p. 147—153. 7.Бенсон Г., Юн К. Поверхностные свойства кристаллов.— В кн. : Межфазная граница газ — твердое тело. "Мир", 1970, с. 172. 8.Марадудин А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. М.. "Мир", 1968. 9.Rideal Е. K-, Sweett F. Actes Congr. International Catalyse. Paris, 1961, vol. 2, p. 38—43. 10.Неймарк И. E. Теоретические вопросы адсорбции. M., "Наука", 1970. Ы. Ваи дер Мерве, Дж. X. Моиокристаллические пленки. М., "Мир", 1966, 172 с. 12. Герцрикен С. Д., Дехтяр И. Я. Диффузия в металлах и сплавах в твердой фазе. М., Гос. издат. физ.-мат. литературы, 1960, 13. Любо в Б. Я., Максимов Б. И. Проблемы материаловедении н физики металлов. М., "Металлургия", 1955. 543 с. '14. Гегузии Я. Е. Физика спекания. М-, "Наука", 1967. 360 с. 15.Verhoeven J. Electrotransport in metáis. — "Metallurgical Rev.", 1963, vol. 8, p. 311—368. 16.Фикс Б. В. Ионный перенос в металлах и полупроводниках. М., "Наука", 1969. 17.Bosvleux J., Fridel J. Sur l'electrolyse des alliages métalliques. — "J. Phys. Chem. Sol.", 1962, vol. 23, p. 123. 18. О комплексном механизме реакционной диффузии. — В кн. : Физическая химия окислов. М., "Наука", '1971, с. 19. Авт.: В. И. Архаров, Н. А. Баланаева, В. Н. Богословский, H. М. Стафеева. 19 Чалмерс Б. Теория затвердевания. М., "Металлургия", 1968. 288 с. 20. Jackson КA. Growth and perfection of crystals, ad by Dore-mus, Roberts Turnbull, Wiley, 1958, № 4. 2k Найдич Ю. В. О межфазных поверхностных энергиях. — В кн. : Поверхностные явления в расплавах. Киев, "Наукова думка", 1968, с. 337—344. 22.Найдич Ю. В., Колесниченко Г. А. Поверхностные явления в расплавах. Киев, "Наукова думка", 1965, с. 132—137. 23.Павлов В. В., Попель С. И., Есии Д. А. Поверхностные явления в расплавах. Киев. "Наукова думка", 1965, с. 94—99. 24. Поверхностные явления в расплавах. Киев, "Наукова думка", 1968, с. 86—104. Авт.: С. И. Попель, В. В. Павлов, В. Н. Ко-журков, В. П. Неличенко. 25.Найдич Ю. В. О взаимодействии металлического расплава с поверхностью металла. Труды Всесоюзной конференции по поверхностным явлениям. Киев, "Наукова думка", 1965, с. 34—39. 26.Горюнов Ю. В., Должиков В. Д., Сумм Б. Д. Оценка убыли свободной поверхностной энергии при растекании металлических расплавов. — В кн. : Физическая химия поверхностных явлений в расплавах. Киев, "Наукова думка", 1971, с. 194—1196. 27.Горелов Ю. В. Физико-химические закономерности распространения жидкого металла по твердой металлической поверхности.—В кн.: Успехи химии. М., Наука, 1964, 33(9), с. 1062—1067. 28.Козлов Л. Ф. Ламинарный пограничный слой при наличии отсасывания. Киев, "Наукова думка", 1968. 62 с. 29. Исследование формирования границы при размерной электроннолучевой обработке в условиях наползания расплава на твердую фазу. — В кн. : Методы миниатюризации и автоматизации производства компонентов ЭВМ. Киев, ИКАН УССР, 1972, с. 83—92. Авт.: Л. С. Палатник, В. К. Сорокин, А. М. Горбенко, А. А. Ва-сютин. 30.Быховский А. И., Пролесковская А. Ю. Физическая химия поверхностных явлений в расплавах. Киев, "Наукова думка", 19711. 31.Репинский С. М. Некоторые проблемы физической химии поверхности полупроводников. Новосибирск. Наука, СО АН СССР, 1972, с. 3—67. 32.Гегузии Я. Е., Кривоглаз М. А. Движение макроскопических включений в твердых телах. М., "Металлургия", ¡1971. 344 с. 33. Глесстон С, Лейдер К-, Эйринг Т. Теория абсолютных скоростей реакций. М., Изд-во иностр. лит., 1948. 356 с.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 135 136 137 138 139 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
