Материаловедение в микроэлектронике






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение в микроэлектронике

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 134 135 136 137 138 139 140 141 142
 

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ К гл. 1 1.Палатник Л. С, Папиров И. И. Эпитаксиальиые пленки. М., "Наука", 1971. 380 с. 2.Палатник Л. С, Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования н субструктура конденсированных пленок. М., "Наука", 1972. 318 с. 3.Палатник Л. С, Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М., "Энергия", 1973. 295 с. 4.Микроэлектроника. Под ред. Ф. В. Лукина. М., "Советское радио", 1967. 365 с. 5.Интегральные схемы. Под ред. К. И. Мартюшова. М., "Советское радио". 1970. 587 с. 6. Металлургия и технология полупроводников. Под ред. Б. А. Сахарова. М., "Металлургия", 1972. 267 с. 7.Курносов А. И., Воронков Э. Н. Полупроводниковая микроэлектроника. М., "Воеииздат", 1973. 240 с. 8. Тонкие магнитные пленки в вычислительной технике. Под ред. А. Г. Лесника. Киев, "Техніка", 1968. 281 с. 9.Электроннои ионно-лучевая технология. Под ред. И. А. Ольшанского. М., "Металлургия", 1968, 443 с. 10.Берри Р., Холл П. Тонкопленочная технология. Л., "Энергия", 1972. 355 с. 1'1.. Мазель Е. 3., Пресс Ф. П. Планарная технология кремниевых приборов. М., "Энергия", 1974. 384 с. ІІ2. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М., "Мир". 1973. 225 с. 13. Устойчивость фаз в металлах и сплавах. Под ред. Д. С. Ка-менецкого. М., "Мир", 1970. 405 с. 14.Принншников В. П. Система кремнезема. Л., Строниздат, 1971, 265 с. с ил. 15.Хейне В. Псевдопотенциалы и стабильность структур. — В кн. : Устойчивость фаз в металлах и сплавах. М., "Мир", 1970. с. 13—21. 16.Jones н., Mitt N. F. Theory of properties of metals and alloys. Chap 5, London, Oxford. Univ. Press, 1936. 272 p. 17.Пик P. M. Самосогласованный расчет функций парного взаимодействия в некоторых простых металлах методом ортогона-лизированных плоских воли. — В кн. : Устойчивость фаз в металлах и сплавах. М., "Мир", ,1970, с. 50—72. 18.Шуберт К. Кристаллические структуры двухкомпонентных фаз. М., "Металлургия", 1971. 531 с. 1.9. Дувез П. Метастабильные фазы. — В кн. : Устойчивость фаз в металлах и сплавах. М,, "Мир", '1970, с. 162—178. 20.Ломер У. М. Устойчивость фаз металлов и сплавов. М., "Мир", 1970, 384 с. 21.Савицкий Е. М., Девинталь Ю. В., Грибуля В. Б. Распознавание и оценка интервала гомогенности металлических фаз при помощи ЭВМ.— "ДАН СССР", 4968 а) 178, № 1, с. 79; б) 183, № 5. с. ПО; 1969, 186, № 3; с. 561'. 22.Брюэр Л. О стабильности металлических структур. — В кн. : Устойчивость фаз в металлах и сплавах. М., "Мир", 1970, с. 712—95. 23.Чистиков И. Г. Жидкие кристаллы. М., "Наука", 1966. 127 с. 24.Сюше Ж. П. Физическая химия полупроводников. М., "Металлургия", 1969. 223 с. 25.Коулсон Ч. Валентность. М., "Химия", 1966. 314 с. 26.Кребс Г. Электропроводность и химическая связь в кристаллических, стеклообразных и жидких фазах.— В кн. : Химическая связь в кристаллах. Минск. "Наука и техника". 1969, с. 453. 27.Goryunova N. A., Parthe Е. A. Scheme for the dérivation of the compositions of gênerai ternary in organic semiconductors. — "Materials Sci. and Eng.", 1967, vol. 2, № 1, p. 1—13. 28.Горюнова H. A. Химия алмазноподобных полупроводников. Ленинград, Изд-во ЛГУ, 1963. 293 с. 29.Полупроводники A*B*C8î. Под ред. Н. А. Горюновой, Ю. А. Волкова. М., "Советское радио", 1974. 265 с. 30.Syrkln J. K-, Dyatkina M. Е. Structure of Molécules and the chemical band. — "Inter. Science", London, 1950. 31.Suchet J. P. Proceedings of the international conférence on semiconductor. — "Physics" (Prague, i960), Czech. J. Phys., 1961, Bd 1. 904 p. 32.Aigrain P., Englert F. Les semiconducteurs dunod. Paris, 1958. 234 p. 33. Магнитная восппиимчивость твердых растворов ïnP—GaAs, InP — GaP. — "ДАН СССР", 1962, 142, 1278. Авт.: И. H. Сирота, Л. А. Маковецкая, В. В. Розов, Ц. 3. Виткина. 34.Палатник Л. С, Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. М., "Металлургия", 1964, 408 с. 35.Любарский Г. Я. Теория групп и ее применение в физике. Физматгиз. 1957. 342 с. с ил. 36.Ландау Д. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика. Физматгиз, 1963. 534 с. 37.Хамермеш М. Теория групп и ее применение к физическим проблемам. М., "Мир", 196!. 496 с. 38.Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., "Наука", 1972. 584 с. 39.Макмиллаи П. У. Стеклокерамика. М., "Мир", 1967. 263 с. 40.Стеклообразное состояние. Ленинград, "Наука", 1971. 320 с. 41.Палатник Л. С, Косевич В. М. Кинетика кристаллизации тонких пленок сурьмы. — "ДАН СССР", 1958. 121, 97. Кристаллография, 1958, 3, 709; 1959, 4, 42, 613. 42.Мюллер Р. Л. Стеклообразное состояние. М.—Л., Изд-во АН СССР, 1960, с. 61—"5. 43.Пазии А. В., Борисова 3. У. Стеклообразование и физико-химические свойства стекол Sb(Bi)—Gc—Se. — В кн.: Стеклообразное состояние. Ленингоал "Ндука". 1971, с. 95—97.
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 134 135 136 137 138 139 140 141 142

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Новые сварочные источники питания: Сб. науч. тр.
Общетехнический справочник
Упрочнение и отделка деталей поверхностным пластическим деформированием: Справочник
Материаловедение в микроэлектронике
Технология и свойства спеченных твердых сплавов и изделий из них. Учебное пособие для вузов
Вентиляция рабочих мест в сварочном производстве
Сварка порошковой проволокой

rss
Карта