Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 132 133 134 135 136 137 138... 140 141 142
|
|
|
|
г| — электростатический потенциал в слое пространственного заряда; Ei — энергия, соответствующая уровню Ферми в собственном полупроводнике; Ф0—потенциал, соответствующий уровню Ферми; "•(РО—концентрация носителей заряда в объеме (соответственно электронов и дырок); £д — длина экранирования Дебая; 5; — безразмерный уровень инжекции; у. — диэлектрическая проницаемость среды; Ко — диэлектрическая проницаемость вакуума; о* — электропроводность; се — емкость; 5, — сечение захвата носителя заряда; б8 — модуль сдвига; Е, — энергия поверхности раздела сросшихся кристаллов; _р — коэффициент диффузии; Ас — средняя длина свободного пробега атома; Едиф — энергия активации диффузии; ^эф — эффективная движущая сила диффузии; Оо(ГР) —свободная энергия одного моля вещества; АО — изменение свободной энергии; С — концентрация диффундирующего вещества; М — масса вещества; Дов — коэффициент объемной диффузии, 1гр — граничной, й" — поверхностной; 1 — время; Ув — объем, Уп — объем пор в твердом теле; 3— теплота испарения вещества; т)( — координационное число атома в решетке; г|г — координационное число атомов в объеме; т], — координационное число атома иа поверхности кристалла; 1* — эффективный заряд иона; ня — подвижность иоиа; Рс — удельное сопротивление материала; N0 — объемная плотность ионов; /к — фактор корреляции при диффузии в упорядоченных структурах; Та — температура плавления; у—поверхностное натяжение; га — атомный радиус; А — угол смачивания; т) — динамическая вязкость; бж—плотность жидкости; (О; — скорость превращения при растворении вещества; гк — кинематическая вязкость; £ — ускорение силы тяжести; 9„ — степень заполнения поверхности; — теплота адсорбции; Ел — энергия активации адсорбции; и — характеристическая частота колебаний решетки; Л — длина свободного пробега молекулы; /(г, в)—поток испаряемых молекул иа расстоянии г под углом в к оси источника; /о — поток молекул, испаряемых поверхностью; 266 хт — теплопроводность; Я„ — коэффициент катодного распыления; I* — коэффициент передачи энергии при катодном распылении; vp — скорость распыления; Ткр — критическая температура, выше которой осаждение молекулярного пучка на подложку не происходит; Р — давление пара; Гп — температура подложки; в] — температура, выше которой происходит осаждение пара по механизму пар — жидкость; в2 — температура, ниже которой формируется аморфная пленка; у° — угол разориентировки блоков в поликристаллической пленке; Ом — механическое напряжение; В — магнитная индукция, Bs — индукция насыщения, Вт — остаточная индукция, Яс — коэрцитивная сила; О-у — концентрация дефектов упаковки; vK — скорость конденсации; Т0—температура сверхпроводящего перехода; Не — критическое магнитное поле, разрушающее сверхпроводящее состояние; пс — концентрация сверхпроводящих электронов; | — длина когерентности при сверхпроводимости; Vf — скорость движения электронов, обладающих энергией Ферми; рп — поверхностное сопротивление; в — температура Дебая; Z' — разность валентностей атомов растворителя и примеси; Apr — остаточное сопротивление; ns — поверхностная концентрация адсорбированных атомов кислорода; U — потенциал; ;УД — плотность дислокаций; Ed — характерная энергия активации возникновения точечного дефекта в решетке; £„р — энергия быстрой частицы, ниже которой может возникнуть кроузион, Еф — фокусон; Еаь — энергия внедрения атома в междуузлие; iVT.fl — концентрация точечных дефектов; V; — частота перескоков ионов; Хф—длина волны фотохимически активного света, W2 — длинноволнового края полосы поглощения; Еп — пороговая энергия фотохимического разрыва межатомной связи. 18*
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 132 133 134 135 136 137 138... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
