Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 131 132 133 134 135 136 137... 140 141 142
|
|
|
|
либо этиленовыми радикалами -Зі—СН3 —5І—СН3 С2Н4—йі — + Н, При соударениях электронов с адсорбированным слоем паров силиконового масла в соответствии с реакциями (8-21) — (8-23) образуются свободные радикалы. Присутствие большого количества свободных радикалов в облученной пленке зарегистрировано экспериментально. Радикальный механизм образования полимерных пленок более вероятен при энергиях электронов, недостаточных для образования ионов (меньше 1(Н8 Дж). Рассмотренные явления воздействия света и электронных пучков в настоящее время уже получили широкое применение в микроэлектронике, например при изготовлении фотооригиналов из фотопластинок с бромосеребряной фотоэмульсией и при изготовлении и использовании фоторезистов различных типов. Однако возможности управления с помощью света физико-химическими свойствами поверхности и приповерхностных слоев использованы еще далеко не полностью. Интенсивное использование фотохимических процессов является одним из наиболее перспективных направлений развития методов технологии микросхем. Еще большие возможности заложены в применении электронных пучков, которые в отличие от световых легко поддаются управляющим воздействиям разнообразного вида. Явления радиационно-химического разложения или сшивания полимеров, выделения металлов и соединений на подложке создают широкую базу для нового зарождающегося направления в технологии микросхем— электронной литографии, которое в ближайшее время займет одно из ведущих мест при производстве, микросхем. 264 СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ Св." — концентрация валентных электронов, приходящихся иа 1 атом; Ес — ширина запрещенной зоны; Хи — параметр кристаллической иониости; л0 — параметр атомной иоииости; С} — стандартная теплота образования кристалла; Л'а — число Авогадро; и — подвижность носителей заряда, иак — с преобладанием рассеяния иа акустических колебаниях кристалла, иПоя — полириых; ц — заряд электрона; 7е — эффективный заряд иоиа в кристаллической решетке; К—атомная теплопроводность; Ма — масса атома; Z — заряда иоиа; Рт — магаетои Бора; Н — напряженность магнитного поля; К — вектор трансляции; Н — вектор "обратной" решетки; Ани — межплоскостное расстояние в решетке; О — модуль сдвига; Ь — вектор Бюргерса; £„ — энергия упругой деформации единицы длины краевой дислокации; 6 — угол разориентировки; V — коэффициент Пуассона; 2пл — теплота плавления; £св — энергия межатомной связи; -и2г, Иг11 — средний квадрат компонента амплитуды колебаний приповерхностных атомов соответственно в нормальном и параллельном к ией направлениях; ел*; — деформация в направлении кМ\ Н—постоянная Плаика(Й=Л/2я); 3е — заряд; Е — напряженность электрического поля; / — плотность тока (/0 — плотность тока насыщения эмиссии при Е—-0); ге — коэффициент отражения электронов при £=0; ц. — уровень химического потенциала; Ер — энергия, соответствующая уровням типа р; N0 — концентрация доноров; ра—равновесная концентрация дырок, пв — электронов; "18—295265
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 131 132 133 134 135 136 137... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
