Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 129 130 131 132 133 134 135... 140 141 142
|
|
|
|
цессов (8-13) и (8-14) зависит от абсолютной концентрации свободных носителей заряда и отношения концентраций дырок и электронов, появившихся в процессе реакции. Продуктами реакции радиационно-химического разложения оксалатов металлов являются не только металлы и углекислый газ, но и другие 'компоненты. Оксалат меди СиС204 может разлагаться по реакции 2СиС204—*Си20 + СО + ЗС02, которая в определенных условиях может конкурировать с реакцией СиС204—Си + 2С02. Оксалаты меди и никеля разлагаются в вакууме при невысокой температуре около 225°С, если они предварительно облучены потоком электронов с энергией (1-^-2) -Ю-13 Дж (рис. 8-20). Из рис. 8-20 видно, что термическое разложение в вакууме в отсутствие предварительного облучения идет значительно медленнее, чем после предварительного облучения с дозой 5-Ю8— 5-Ю9 рад. При снижении дозы до 2,2-108 рад вклад ра-диационно-химических реакций становится настолько малым, что его не удается экспериментально обнаружить. Под влиянием электронной бомбардировки происходит разложение бромистого серебра AgBт. При низких плотностях тока (около 5 мА/см2) выделение серебра происходит по контуру тонких кристалликов AgBr размером около 90 нм. Выделения имеют спиральную форму с высотой спирали 15 нм и шириной основания 2 нм. При больших плотностях тока (примерно 1 А-см2) выделение серебра на границах кристаллов становится более интенсивным; кроме того, появляются каплеобразные скопления атомов А% во всех частях кристаллов. Выделение радиолитического серебра в кристалликах AgBг связано с наличием в них различных дефектов Рис. 8-20. Зависимость кинетики разложения оксалата меди при 225°С в вакууме от дозы радиации. Л — 1.1 10е рад; 2 — 6-Ю8; 3 — 2,2 • 10" 1127]. структуры, субграниц, двойников и т. д. Совершенные маленькие кристаллики чистого AgBг устойчиво сохраняются без разложения даже при длительном их облучении электронами. В то же время крупные кристаллы, в которых содержится большое количество дефектов названного типа, разрушаются в тех же условиях сравнительно быстро. Под влиянием электронного пучка разрушаются также азиды серебра [128], нитриды железа и другие соединения. Образование на подложке металлического осадка, имеющего рисунок, соответствующий рисунку участков, облученных электронным пучком, имеет существенное значение для электронной литографии. В частности, разложение AgBr в фотографических эмульсиях под влиянием пучка электронов используется для получения изображения объектов в электронной микроскопии и дифракционной картины в электронографии. С помощью радиолиза паров карбонилов вольфрама, молибдена, рения, хрома и других металлов могут быть получены тонкие пленки этих металлов заданной конфигурации. При облучении подложки в присутствии паров карбо-нила Мо(СО)б электронами с энергией 1,1-Ю-17 Дж происходят следующие элементарные процессы: Мо(СО),-Мо(СО)+(8.18) Мо(СО)„^Мо(СО)++СО,С8"19) Мо (СО), Мо (СО)*+ + пСО,(8'2°) где п=1-^-6, т=1,2. Диссоциация карбонильных соединений происходит из-за разрыва связи между атомом металла и молекулой окиси углерода. Последнее вызвано тем, что тройная связь внутри этой молекулы значительно прочнее связи Ме—СО. Влияние энергии электронного пучка на характер разложения может быть прослежено с помощью масс-спектрометра (рис. 8-21). Ионы металла появляются лишь при достаточно больших энергиях электронов (£'эл4-10-18 Дж). Их концентрация растет с увеличением -Езл. Свободный вольфрам, появляющийся при разложении карбонила под влиянием электронного пучка, мож
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 129 130 131 132 133 134 135... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
