Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 128 129 130 131 132 133 134... 140 141 142
|
|
|
|
реакции (рис. 8-19,а). Протекание этой реакции приводит к возникновению плотной разветвленной сетки. Растворимость фоторезиста после образования сетки соединенных боковых цепочек существенно уменьшается. Химическая инертность основной цепочки и прочность двойной связи, соединяющей боковые ответвления, делают этот фоторезист устойчивым к действию кислот. Проявление состоит в удалении с помощью растворения незасвеченных участков фоторезиста. Под действием света в пленке фоторезиста на основе сложного эфира поливинилового спирта и коричной кислоты — поливинилциннамата (ПВЦ) образуются нерастворимые участки, по геометрической форме соответствующие прозрачным участкам фотошаблона. Такие фоторезисты называют негативными. Другой тип негативного фоторезиста основан на свойствах нолиизопренов, растворенных в ксилоле совместно с некоторым количеством бис-азидного соединения [2,6-бис (/?-азидобензоил-4-метациклогексана] (рис. 8-19,6). Облучение ультрафиолетовым светом приводит к распаду бис-азидного соединения (рис. 8-19,в). Возникшие в результате фотохимической реакции нитриды обладают высокой реакционноспособностью и посредством реакции включения через мостики С—Н соединяют поперечными связями соседние полиизопрено-вые молекулы. Позитивное изображение, т. е. набор участков пленки фоторезиста, устойчивых к действию растворителя и соответствующих по форме непрозрачным участкам фотошаблона, может быть получено из растворов на основе ортохинондиазидов и полимерного фенолформальдегида и других полимерных компонентов, которые усиливают стойкость фоторезиста при травлении. Относительное увеличение растворимости при засветке достигается за счет фотохимического разложения ортохинондиазида по формуле О В результате этой фотохимической реакции образуется карбоновая кислота, вследствие чего растворимость повышается. Разложение твердых неорганических веществ при бомбардировке электронов. При облучении электронами твердых веществ энергия, передаваемая электроном молекуле сложного соединения, достаточна для возбуждения и ионизации этой молекулы. Образуются свободные радикалы, которые являются важными промежуточными компонентами радиационно-химических реакций. Характер и последовательность этих реакций зависят от структуры твердого тела, которое подвергается бомбардировке электронами. Рассмотрим, например, механизм разложения твердых оксалатов различных металлов (меди — СиС204, никеля — №С204 и др.). Реакция появления радикалов связана с разрывом связей. В ней участвуют свободные носители заряда: электроны и дырки. Процесс разложения проходит в соответствии с последовательностью реакций С204 -(СА)Г+^,(8-13) (Са07);-(СА)Г+/?+'8-14) -(С.04).-2СО, | (8-15) На первой стадии (8-13) ионы оксалата под влиянием электронной бомбардировки теряют электроны, которые уходят в зону проводимости, и заряд их уменьшается. На второй стадии однозарядные сложные ионы (С204)~, возникшие в объеме твердого тела, выходят на его поверхность, что символически обозначается в реакции (8-14) как превращение (С201)~—(С!Р4)~. На поверхности отрицательный заряд ионов нейтрализуется за счет захвата дырок. Нейтральный комплекс (С204)8 распадается на две молекулы углекислого газа. Появившиеся свободные электроны нейтрализуют металлические ионы: Мег+ + ё-Ме+,(8-16) Ме++7^Ме°.(8-17) Металлические атомы, объединяясь, образуют выделения металлической фазы. Соотношение скоростей про
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 128 129 130 131 132 133 134... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
