Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 123 124 125 126 127 128 129... 140 141 142
|
|
|
|
комнатной температуре поверхность и приповерхностный слой подвергаются существенному разрушению, завершающемуся при больших дозах или временах выдержки полной аморфизацией. Облучение при высокой температуре приводит к частичному восстановлению решетки. В приповерхностном слое возникают кластеры— области с нарушенной структурой. По мере увеличения глубины под поверхностью плотность дефектов убывает. На атвм/см в0,51,01,52,0 Рис. 8-15. Гетеродиффузия Р32 при 700°С, стимулированная ионной бомбардировкой Р31; дозы ионов Р31 (см'2)—5-10й, 5-Ю'5. значительной глубине наблюдаются комплексы из атомов кислорода и вакансий и внедренных примесных атомов — ^-центры. Низкотемпературный отжиг (70— 100°С) приводит к росту концентрации Л-центров, так как атомы кислорода, содержащиеся в кремнии (концентрации 1016—1017 см-3) диффундируют к вакансиям, возникшим при облучении, и связываются с ними. При нагреве образцов до 170°С процесс образования Л-центров прекращается, и выше 170°С начинают исчезать ^-центры. Отжиг при 310—350°С приводит уже к распаду Л-центров. Изменение позиций, занимаемых внедренными атомами, происходит уже при 400°С. Атомы фосфора переходят из междуузлий в узлы в интервале температур 300—400°С. Кластеры, которые представляют . собой области наиболее существенного нарушения решетки, отжигаются при 450—500°С. 248 8-3. световые и электронные пучки и их воздействие на материалы Выше было показано, что взаимодействие ионных пучков с поверхностью раздела и объемом твердого тела включает большое количество явлений. Ионы с большой энергией, внедряясь в решетку, могут возбуждать электронные оболочки атомов, обрывать связи и выбивать атомы решетки из узлов. Существенная особенность ионов из ионных пучков состоит в том, что остановившиеся чужеродные ионы становятся примесными центрами, влияющими на электрофизические свойства и после прекращения облучения. В отличие от этого пучки фотонов и электронов оказывают на облучаемое твердое тело влияние лишь первого типа. Они могут возбуждать электронные оболочки атомов (и выбивать электроны), обрывать валентные связи атомов и даже выбивать атомы из узлов. Вторую функцию ионов — стабильное длительное воздействие на свойства после облучения — ни электроны, ни тем более фотоны, естественно, выполнять не могут.' Электроны после прекращения облучения могут некоторое время существовать самостоятельно. Однако они быстро захватываются дефектами или диффундируют к стокам и рассредоточиваются по всей поверхности твердого тела. Воздействие с помощью световых и электронных пучков оказывает специфическое влияние в результате передачи энергии атомам облучаемого вещества. В технике используются фотохимическое воздействие на материал световых квантов и радиационно-химиче-ское воздействие пучков ионов и электронов. Механизм фотолиза галогеиидов серебра. Физические представления о фотолизе галогеиидов серебра были выдвинуты Моттом и Герин [120]. В соответствии с этими представлениями электроны, освобожденные при поглощении кванта света, захватываются примесными центрами. К заряженным отрицательно примесным центрам притягиваются подвижные положительно заряженные между-узельные иоиы серебра. Скопление атомов, увеличиваясь в размерах, превращается в центры выделения новой фазы — Ао;. Этн центры называют центрами скрытого изображения. Онн могут быть выявлены путем соответствующей химической процедуры, называемой проявлением. При длительном воздействии интенсивной засветки проходит так называемый глубокий фотолиз, в процессе которого образуются крупные частицы серебра, вызывающие прямое почернение. Экспериментальное исследование позволило уточнить развитые представления [121]. Оказалось, что фотоэлектроны закрепляются не только на точечных, но и на других дефектах. В частности, онн захватываются дислокациями, ядро которых несет положительный заряд. Одним из возможных мест захвата электрона иа днслокацнн 17-295249
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 123 124 125 126 127 128 129... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
