Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 122 123 124 125 126 127 128... 140 141 142
|
|
|
|
В поле ионизирующих излучений и потоков ионов существенно меняются условия термической диффузии [118]. Происходит активация процессов самодиффузии и гетеродиффузии. Коэффициент диффузии возрастает на два-три порядка. Рост коэффициента диффузии вызван несколькими причинами. Среди них наибольшее значение имеет увеличение концентрации дефектов структуры и понижение эффективных (потенциальных барьеров для диффузии. Вероятность диффузионного перескока О 0,1 0,2 0,3 Глубина,мк О 0,1 0,2 0,3 0,4 Глубина, мк ') о 0,1 0,2 0,3 0,4-ГлуВина,мк Рис. 8-13. Распределение ионов N (о), Р (б), Аэ (б) под поверхностью образца при ионном легировании; энергия 4,8-Ю-18 Дж, сплошная линия — теория. О 2 4В 8 Энергия 7/2,1,26-10 8Дж ''2 10 о-/ Д-2 У А У% £л_I_I_I I ' ' I ' л В 11 г10 О 2 4 6_Й Энергия 1/2,1,26-10 Рис. 8-14. Зависимость максимальной глубины проникновения ионов R от их энергии для As (а) и В (б). 246 1/т в момент снижения барьера для диффузии £д из-за наличия вблизи него многозарядного иона, ионизированного нолем излучения или пучком, равна: Л=-^ехр(-^).(8-2, Здесь ЕЛ=ЕЛ-±1У£;(8-3) е — диэлектрическая проницаемость; Е\— снижение энергии активации диффузии Е из-за наличия многозарядного иона с зарядом Ъ*. Член Апт3г [N=(1) соответствует вероятности того, что диффундирующий ион окажется в области с барьером £'д. В (8-2) пг — число постоянных решетки а, ограничивающих область с барьером высотой £'д, определяемой из формулы (8-3); N — плотность атомов. Расчет показывает, что отношение Е'/Е может достигать около 1/2. При этом коэффициент диффузии должен возрастать более чем на порядок [118]. Существенную роль в активации диффузии могут играть также динамические эффекты, связанные с переносом энергии (фокусоны) или массы (динамические краудионы). Ра-диационно-стимулированная диффузия исчезает практически сразу же после прекращения облучения. Характер влияния ионных потоков на диффузию может быть прослежен при использовании радиоактивных атомов. В [119] изучалась, например радиационно-стимулированная диффузия фосфора в кремнии (рис. 8-15). Вначале при 25°С внедрялись атомы радиоактивного изотопа Р32 (кривая 1). Затем при 700°С внедряется стабильный изотоп Р31 при нескольких дозах: 5-Ю14 (кривая 2), 5-1015 (кривая 3) см~2. Из рис. 8-15 видно, что "ионный ветер" стабильного изотопа способствует распространению в глубину введенного первоначально в приповерхностный слой изотопа Р32. При4 больших интенсивностях изотопа Р31 распределение изотопа Р32 приближается к распределению, задаваемому обычной термической диффузией (пунктирная линия). Процесс ионного легирования представляет собой сложное явление. При внедрении ионов в образцы при
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 122 123 124 125 126 127 128... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
