Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 121 122 123 124 125 126 127... 140 141 142
|
|
|
|
ваться после внедрения в междуузлиях. При больших дозах облучения крупные внедренные атомы также мо-тут оставаться в междуузлиях. Местоположение внедренного атома в решетке определяется рядом обстоятельств, в том числе соотношением атомных ионных или ковалентных радиусов внедренного атома гвА и атома кремния Гд1. Устойчивость внедренного атома в между-узлии зависит от его ионного радиуса гм. . 1,5 Угол наклона к плоскости, град Рис 8-11 Зависимость интенсивности прошедшего пучка протонов от угла наклона к плоскостям {111}, {ПО}, {100} для трех пленарных каналов в Si. При дозе облучения около 2-Ю13 см-2 70—80% внедренных атомов Т1 находятся в узлах решетки [П5]; Тяжелый ион типа Т1 движется в Si по прямолинейной траектории и останавливается в конце цилиндрической области разупорядочения, окружающей его трек. Положение в узле атом занимает, по-видимому, в результате взаимодействия с близлежащими вакансиями, связанными с динамическими краудионами и одиночными атомами, выбитыми из узлов. Как показывают расчеты [116], маловероятно встраивание в узел движущегося атома непосредственно в результате соударения, в процессе которого он выбивает атом Si. Отжиг может изменять ситуацию. Например, атомы Т1 остаются в узлах-лишь при температурах, меньших 400°С (рис. 8-12). Выше этой температуры они начинают замещаться в узлах атомами кремния. Атомы Т1 занимают междуузлия в рядах (111). Для атомов груп-_. пы Ша меньшего размера характерным при ионном внедрении является положение в междуузлиях (111). Атомы Ga, например, внедренные с энергией 6-Ю-15 Дж при дозе 4 -1014 см-2, находятся в междуузлиях и остаются там при отжиге вплоть до температуры 500°С. После отжига до 600°С ^в 25% атомов Ga переходят в узлы. Атомы группы Va, имеющие большие размеры, например Bi, также располагаются преимущественно в узлах (70— 80%) Это положение атомов Bi сохраняется вплоть до 800—850°С. Атомы группы Va меньшего размера занимают прегаму 1й во -1 |1 —Г 1 1 • Замещающие о Междуузвльныв 200 Ш 600 "С t Рис. 8-12. Влияние температуры отжига иа положение внедренных иоиов TI в Si при 300 К. щественно междуузельные позиции. Так, атомы Sb при энергии 6-10—15 Дж и дозе 4-1014 см~2 занимают практически лишь междуузлия и сохраняют эти положения при отжиге до 500°С. Однако отжиг до 600°С вызывает переход 90% атомов Sb в узлы. Концентрация примесных атомов, введенных в узлы решетки из разогнанных ионных пучков, может на несколько порядков превышать равновесную растворимость этих же атомов. Отжиг вызывает восстановление равновесной решетки. После восстановления равновесной решетки атомы группы Ша имеют тенденцию к размещению в междуузлиях (111). В то же время атомы группы Va, как правило, не размещаются в нормальных междуузлиях. Характер распределения внедренных при ионном легировании атомов представлен на рис. 8-13. В большинстве случаев максимальная концентрация достигается на некоторой глубине под поверхностью. Обычно между величиной Ямаке и величиной энергии ионов в степени 1/2 существует линейное соотношение (рис. 8-13, 8-14). Для разных ионов наклон прямой различен.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 121 122 123 124 125 126 127... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
