Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 120 121 122 123 124 125 126... 140 141 142
|
|
|
|
время на конце цепочки может образоваться вакансия при условии, что ЕЕаъВ этом случае последний атом в цепочке возвращается на свое место, а перед фронтом цепочки появляется вакансия. Общее число нарушений решетки Л^т.д (внедренных атомов и пар Френкеля) для фокусонов длиной па, возникших вне первичной зоны нарушений, равно ЛГт.д=0,44арс£„.(8-1) Здесь £п — первичная энергия атомов в фокусоне; а — период решетки; р„ — плотность дислокаций (она предполагается достаточно малой). Если фокусоны начинаются в центре первичной зоны, количество дефектов, созданных ими, меньше в 30—40 раз. Распространяясь, чрокуеоны способны "прокалывать" дислокации, создавая вокруг них дополнительную атмосферу точечных дефектов. Последнее вызывает дополнительное закрепление дислокаций на дефектах,, созданных фокусонами [103] (каждая пара Френкеля,, например, может служить закрепляющей точкой). Когерентные двойниковые границы могут служить "стопорами" для фокусонов. Результатом рассеяния фокусонов (или его остановки) на когерентной двойниковой границе также является образование точечных дефектов. Дефекты, возникшие в процессе движения, рассеяния и остановки фокусонов в монокристаллах, проявляют тенденцию к анизотропному распределению вдоль некоторых избранных направлений. Так, например, при бомбардировке монокристаллов меди ионами 02~ с энергией 1,9-Ю-15 Дж зародыши анизотропно ориентированной по оси [ПО] Си закиси меди выявляются после нагрева облученных кристаллов меди при 350—800°С в атмосфере с малым содержанием кислорода. В стали У9 дефекты концентрируются в основном в плотноупакованных плоскостях (МЮ) и (пЫг). Фокусоны рассеиваются также на тепловых колебаниях решетки. На рис. 8-9 нанесена зависимость длины пробега (длины фокусона п) от его энергии при различных температурах подложки. Рис. 8-9 показывает, как влияет температура на величину среднеквадратичного отклонения от направления [НО] мишени из-за рассеяния на тепловых колебаниях, рассчитанных теоретически и полученных экспериментально. Существенно более высокое рассеяние, наблюдаемое экспериментально, вызвано рассеянием на вакансиях. Аномальное проникновение быстрых частиц в кристаллы (каиа-лироваиие). Движение первичных иоиов и атомов отдачи происходит в определенных кристаллографических направлениях преимущественно в каналах, образованных из пустот кристаллической решетки. В результате этого при меньших потерях энергии частиц повреждение решетки уменьшается, а глубина проникновения их растет. Существенная роль этого явления выясняется при сравнении проникновения тяжелых ионов (К85 при 6,3-Ю-15 Дж) в аморфную и поликристаллическую окись алюминия (рис. 8-10,а), а также в монокристалл А1, ориентированный различным образом относительно пучка ионов (рис. 8-10,6). Пробег ионов К85 в GaAs в направлении [110J существенно больше, чем в других направлениях. В кремнии пробег ионов Xei25 с энергией 9-10_1в—IS-10*"15 Дж увеличивается при переходе от направления [100] к [111], [112] и [110]. На рис. 8-11 сопоставлена относительная интенсивность компонентов пучка протонов, обладающих аномальной способностью проникать через кри 100 ^ so чГ 5 10 I 5 % 1,0 I 0,5 Ч 0,1 0,05 20 40 00 80 ЮО 120 140 .А1 (по пинр А12 ІМОрфн) 5 О 20 4,0 БО ВО 100 120140 0 100 SB ID 5 1,0 0,5 0,1 '/of 'но к Измеренные проникновения, мкг/смг 20 40 ВО 80 100 120140' Измеренные проникновения, МНГ/СМ 2 *). Рис. 8-10. Распределение по пробегам ионов криптона под поверхностью образца для аморфного А1203 и поликристаллического А1 (а), монокристалла А1 (б). сталл кремния, при различных углах падения, для основных кристаллографических направлений кристалла толщиной 35,1 мкм. Интенсивность аномальной компоненты максимальна вблизи направления, соответствующего движению вдоль каналов кристаллической решетки. При отклонении на угол ср, больший некоторого критического ф„ (иа рис. 841 ф„=0,1° [30]), компонента протонного пучка, для которой потери велики, уменьшается по интенсивности. Эта компонента имеет максимумы при углах, несколько больших фк. Последнее указывает на характер потерь энергии этой компонентой" пучка. Аномально-большие потери на возбуждение электронных оболочек возникают у ионов, движущихся по траекториям, лежащим" в области высокой электронной плотности у стенок каналов. Распределение внедренных ионов под поверхностью. При бомбардировке поверхности монокристалла кремния различными ионами с энергиями 5,0-Ю-15 Дж ионы с большими радиусами часто встраиваются в узлы решетки. Ионы атомов с малыми радиусами могут оста
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 120 121 122 123 124 125 126... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
