Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 117 118 119 120 121 122 123... 140 141 142
|
|
|
|
и условиями выращивания эпитаксиальных пленок и влияния "диффузионной микропроекции" на свойства и структуру исходного полупроводникового кристалла, а также влияния уровня легирования на механические напряжения, сопутствующие растворению примесей, выделения чужеродной примесной фазы, влияния напряжений, возникающих при окислении поверхности, вскрытии окон ч диффузии в эти окна и т. п. На рис. 8-7 приведена диаграмма сравнительной трудоемкости технологии изготовления биполярных и МДП активных элементов. Наиболее ответственными и трудоемкими при изготовлении ИС с биполярными транзисторами являются операции, связанные с диффузией. При изготовлении ИС на МДП транзисторах центр тяжести технологии смещается к операциям выращивания окисла (под затвор), и к операциям, от которых зависит точность микропроекции (точность совмещения затвора с каналом) [42]. Дефекты изготовления. Одним из дефектов изготовления, существенно влияющих на эксплуатационные свойства, является накопление на внешней стороне окисла (особенно окисла под затвор) электрически заряженных примесей. Известны три эффекта: появление вблизи поверхности полупроводника п-типа слоя с высокой концентрацией носителей заряда (слоя п+) ; в полупроводнике р-типа положительный заряд, расположенный на внешней поверхности окисла может индуцировать появление обедненного слоя; в предельном случае возникает инверсионный слой с противоположным знаком носителей заряда. Появление заряда на внешней поверхности окисла связано с отклонениями от стехиометрии в пленке БЮг при термическом окислении. При избытке кремния образуются избыточные вакансии атомов кислорода. Заряд на поверхности 5Ю2 появляется также вследствие адсорбции примесей: воды, водорода, солей щелочных металлов. Адсорбция водорода на поверхности 5Ю2 и проникновение его сквозь окисел могут вызвать изменение знака носителей заряда. При этом на -поверхности р-типа концентрация дырок уменьшается, и проводимость меняется на электронную (я-типа). При высоких температурах и наличии в окружающей атмосфере кислорода этот эффект ослабляется, так как 236 проникновение кислорода в пленку компенсирует влияние водорода. Поскольку проникновение водорода и кислорода (и их относительные концентрации)—трудноуправляемые процессы, стабилизация поверхности окисла и полупроводника достигается нанесением активных окислов, например Р2Об на поверхность или в слой. Дефекты изготовления могут быть также связаны с поведением во время диффузии дефектов кристаллического строения: дислокаций, дефектов упаковки или. двойниковых прослоек. Более высокий коэффициент диффузии вдоль дислокаций и субграниц вызывает появление диффузионных выступов на фронте движения примеси при легировании диффузией. Все рассмотренные выше технологические операций используют физико-химические явления и процессы на. поверхности кремния, происходящие при адсорбции газов и паров, окислении, диффузии легирующих примесей или наращивании автоэпитаксиальной пленки, которые подробно рассмотрены в первых семи главах этой книги.. Однако в современной микроэлектронике все больше проявляется тенденция заменять эти традиционные методы технологии микросхем перспективными методами и приемами электроннои ионно-лучевой технологии. В частности, диффузионное введение легирующей примеси в приповерхностный слой кремния все чаще заменяют ионным легированием; различные пленки наносят на поверхность подложки, используя разложение газообразных веществ электронным пучком. Наряду с фотолитографией, основанной на воздействии света на светочувствительные материалы, применяется электронная литография, в которой пучок света заменяют электронным пучком. Развитие и успешное промышленное внедрение этих методов тесно связаны с изучением материаловедческих проблем воздействия на материалы ионных, электронных и световых пучков. Подобные воздействия на материал неразрывно связаны с его переходом в активированное состояние. Специфика этого состояния предопределяет возможность практического использования, ионных, электронных и световых пучков в технологических процессах микроэлектроники.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 117 118 119 120 121 122 123... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
