Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 9 10 11 12 13 14 15... 140 141 142
|
|
|
|
Связь этого типа, называемая ковалентной, является направленной, образуется с равномерным участием валентных электронов обоих оболочек. В общем случае может происходить так называемая гибридизация я и р-орбит (линейная комбинация качественно и количественно различающихся 5 и р-функций). В результате гибридизации возникают четыре равноценные 5/?3-орбиты, направленные к вершинам правильного тетраэдра под углами друг к другу 109°28'. Связь подобного типа с координационным числом 4 имеет место в решетке алмаза. В общем случае орбиты электронов могут быть достаточно сложными вследствие влияния всех входящих в молекулу атомов [24]. Такие орбиты называют молекулярными (модель Гунда-Милликена). Параметры молекулярной орбитали определяют исходя из данного распределения п атомов в молекуле. Теоретически определяется наиболее выгодная в энергетическом отношении молекулярная орбиталь. Могут возникать два вида орбиталей: связывающие и разрыхляющие. В первых энергетические уровни электронов, находящихся на оо-биталях, ниже, чем в изолированных атомах, во втором— выше. Связи, образованные с максимальным перекрытием по прямой, соединяющей центры атомов, называют а-связями, а электроны, участвующие в них, с-электронами (связь в Н2). При образовании кратных связей, кроме 0-связи, могут возникать я-связи (например, в С2Н2), перпендикулярные к 0-связи. Они образуются соответственно я-электронами. я-связи значительно слабее 0-связеп. Понятие об уширении энергетических уровней, отвечающих орбиталям валентных электронов, позволяет объяснить структуру и свойства широкого класса соединений, которые не могут быть отнесены к типичным солям или к веществам с типично ковалентной связью. Учет геометрии уширения орбиталей и заполнения их электронами показан в [25]. Рассмотрим характер перекрытия двух ^-гибридных орбиталей в решетке ве (рис. 1-3,а). Они обеспечивают хорошее перекрывание в направлении соединяющей рассматриваемые пары атомов прямой. Значения плотности электронных облаков вне области, занятой этими атомами, достаточно велики, чтобы в определенных условиях принять участие в образовании связи. В тетраэдрической структуре ве эти ветви "обратных" орбиталей, направлены в противоположную сторону и не находят партнеров в структуре типа алмаза. Если тип решетки таков, что в противоположном направлении достаточно близко от рассматриваемой пары атомов расположены другие атомы — например в ромбоэдрической решетке As, то в "обратном" направлении также возникает связь [26]. В случае мышьяка каждый атом As сильно связан с тремя соседями в собственном двойном слое и образует слабые "обратные" связи в противоположном направлении с тремя гпгрлялди гттрдуюшего РисЬ3Распределение элек-МЯ СОСеДЯМИ СЛеДЮЩегОной плотности для Ge при двойного слоя. Расчет молеобразовании ковалентной связи, кулярной орбиты и вычисление гибридной функции на линии, связывающей три атома As, показывают, что внутри двойного слоя (два левых атома As) значения молекулярной волновой функции в 2 раза выше, чем между слоями (два правых атома As). Соответственно отношение электронных плотностей 4 : 1. Аналогичное распределение в прямой и "обратной" ветвях орбитали наблюдается для GeTe. Соотношение электронных плотностей в прямой и "обратных" ветвях орбитали чувствительно к величине эффективного заряда ядра. В ионно-ковалентном веществе осуществляются два предельных состояния, в одном из которых кристалл охвачен единой макроскопической электронной оболочкой (как в С и Si), в другом эта макроскопическая оболочка распадается на практически изолированные оболочки ионов. В последнем случае распределение электронной плотности определено правилом октета. Электронная формула атома должна быть приведена к формуле следующего за ним в периодической таблице инертного газа. Например, такие соединения, как GaAs, ZnS, Agi, будут иметь формулы Ga3+As3-, Zn2+S2-, Ag+I-. Ковалентное состояние может быть определено, если использовать следующие правила: 1) при внедрении в систему ковалентных связей матрицы атом должен полностью принять электронную формулу вещества матрицы;
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 9 10 11 12 13 14 15... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
