Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 116 117 118 119 120 121 122... 140 141 142
|
|
|
|
Скрытые проводящие слои, резисторы и емкостные элементы, изготавливаемые методами планарной полупроводниковой технологии. В полупроводниковых микросхемах кроме активных элементов изготовляются также микроминиатюрные резисторы (рис. 8-5) и проводящие дорожки двух типов: 1) проводящие дорожки, выводы и контактные металлические площадки (для присоединения внешних проволочных выводов) наносятся на слой окисла, выращиваемый над приповерхностным участком кремния, содержащим активный элемент. Проводящие дорожки присоединяются к эмиттеру, базе и коллектору через соответствующие окна в защитном слое окисла, вскрытые фотолитографически; 2) проводящие дорожки внутри прибора ("скрытый слой" под эпитаксиальной пленкой, встроенный в полупроводник под областью коллектора с целью уменьшения последовательного сопротивления цепи коллектора). Проводящую дорожку изготовляют из материала подложки с помощью сильного легирования п или р-типа. В качестве активных элементов в полупроводниковых микросхемах применяются полевые транзисторы Рис. 8-5. Диффузионный резистор. / — пластина Бі; 2 — островок; 3 — резистивныя слой; 4 — электроды. 1И Исток /\ Сток а) Тонкий окисел 6)в) Исток ЗатВор Сток *) *) Рис. 8-6. Последовательность операций изготовления полевого транзистора. а — исходная пластина ві п-типа; б — формирование "толстого" слоя окисла; в — фотолитография истока и стока с последующей диффузией; г — фотолитография затвора и выращивание тонкого высококачественного слоя под затвор; д — изготовленный полевой транзистор с истоком, затвором и стоком з виде островков металлической пленки. в виде слоевых композиции металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). МДП структура со слоем окисла БЮг показана на рис. 8-6. Сильнолегированные области истока и стока (п+ или р+-области) изготовляются "диффузионной микропроекцией". Над разделяющей их областью полупроводника, в которой расположен канал, наращивается тонкий слой окисла под затвор. Затвор, контакты к истоку и стоку, а также проводящие дорож 1юго ) Рис. 8-7. Диаграмма сравнительной трудоемкости технологических процессов изготовления биполярных (а) и МДП интегральных схем (б). ки изготавливают из пленки металла, требуемый рисунок которой придается с помощью фотолитографической техники. Другая особенность МДП структур по сравнению с биполярными транзисторами заключается в необходимости выращивать под проводящими дорожками толстый слой окисла, который необходим для устранения паразитных МДП транзисторов, где затвором является проводящая дорожка. Таким образом, рассмотрение приемов и методов изготовления полупроводниковых микросхем выявляет важную проблему связи между свойствами, структурой
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 116 117 118 119 120 121 122... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
