Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 115 116 117 118 119 120 121... 140 141 142
|
|
|
|
териала. Наряду с традиционными методами "диффузионной микропроекции" . и для получения полупроводниковых микросхем применяют методы, в которых эти стандартные процессы дополнены новыми приемами, использующими специфику физики тонких и толстых пленок. Диэлектрическая изоляция. Новым методом являются изоляция с помощью слоя БЮг и изготовление внутри монокристалличеоких островков кремния биполярных транзисторов (см. рис. 8-3). В кремниевой пластине Рис. 8-4. Последовательность операций при изготовлении матрицы кремниевых диодов на основе эпитаксиальной пленки Б!, выращенной иа сапфире. а — электрическая изоляция островков разделительным травлением; б — удаление БЮ2; в — первая диффузия (бор); г — вторая диффузия (фосфор); д — готовый рп переход (система рн—п—п+). создается система продольных и поперечных сообщающихся друг с другом канавок. Затем поверхность кремния окисляется и поверх окисной пленки $¡02 наносят "массивную" (около 100 мкм) поликристаллическую пленку кремния. Последняя, после того как исходная пластина кремния сошлифована до границы с поликристаллическим кремнием у дна канавок, служит механически прочной подложкой, несущей в себе монокристаллические островки кремния. Эти островки отделены друг от друга и от поликристаллической матрицы слоем диэлектрической изоляции. В дальнейшем в них могут быть изготовлены либо биполярные транзисторы, либо другие активные полупроводниковые элементы. Развитием метода изоляции является нанесение монокристаллических пленок кремния на лейкосапфир (бесцветный монокристалл AI2O3). В сплошной монокристаллической пленке кремния канавки протравливаются до подложки, и образуется система электрически изолированных друг от друга островков. Такую технологию применяют фирма North American Rockuell для изготовления микроминиатюрных активных элементов (рис. 8-4). Плоскость рп перехода создается перпендикулярно подложке с помощью последовательности циклов "диффузионной микропроекции" (окисления кремниевого островка, вскрытия окон в Si02 и диффузии). Автои гетероэпитаксиальные пленки кремния. Другим методом технологии полупроводниковых микросхем является наращивание автоэпитаксиальной или гетеро-эпитаксиальной пленки кремния с определенным типом носителей заряда, например автоэпитаксиального слоя я-типа на подложке кремния о-типа. Электрическая изоляция достигается сквозной диффузией примеси р-типа через эпнтакснальную пленку в промежутке между будущими островками (рис. 8-3). Это способ "диффузионной микропроекции" изолирующих прослоек в эпитак-сиальную пленку. Другой способ — "эпитаксиальная микропроекция" — состоит в выращивании автоэпитаксиальных островков Si в окнах, вскрытых в слое окисла на поверхности монокристаллической пластины кремния. Монокристаллические пленки кремния можно выращивать и на поверхности чужеродных монокристаллов (гетероэпитаксия). Включение эпитаксиальной пленки полупроводника в полупроводниковый активный элемент применяется фирмой Autonetics для изготовления диодных матриц (рис. 8-4). В эпитаксиальных пленках знак и концентрация носителей заряда задают в процессе осаждения пленки (так что не требуется цикл "диффузионной микропроекции"). Разделение эпитаксиальной пленки на электрически изолированные островки осуществляется осаждением, через трафарет либо контактным маскированием с помощью фоторезиста и вытравливанием участков пленки между островкамн. В отличие от цикла "диффузионной микропроекции" операция травления не вносит термических искажений, деформации, дефектов. В обоих случаях сокращается число циклов "диффузионной микропроекции" и сохраняется совершенство структуры исходного материала.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 115 116 117 118 119 120 121... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
