Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 114 115 116 117 118 119 120... 140 141 142
|
|
|
|
коллектором которого является сама полупроводниковая пластина, на поверхность через щелевой трафарет наносят металлические контакты (см. рис. 8-1). Локальное легирование диффузией осуществляется путем нанесения на чистую поверхность полупроводниковой пластины островков металла, а затем диффузия его сквозь поверхность создает рисунок базы, соответствующий форме островков, образуя эмиттерную область в мезатранзисторе. Однако такой способ локальной диффузии не может быть применен при слишком малых размерах активных элементов в связи с большим коэффициентом Бв поверхностной диффузии. Так как то за время проникновения атомов примеси под поверхность примерно на 1 мкм вдоль поверхности они распространяются на десятки и сотни микронов (с разной скоростью в различных направлениях вследствие анизотропии диффузии). Поэтому простейший прием ограничения областей поверхности, через которые проходит диффузия, заменяют сложной, но более воспроизводимой техникой маскирования окисной пленкой. Технология изготовления полупроводниковой микросхемы отличается от рассмотренной тем, что на одной и той же кремниевой пластине одновременно изготовляют большое количество (100—1000 шт.) планарных биполярных транзисторов. Последнее вынуждает предусмотреть меры по электрической изоляции этих транзисторов друг от друга. Наибольшее распространение иолу-чили следующие способы электрической изоляции [43—45]. Изоляция с помощью коллекторной диффузии. Коллектором является приповерхностный островок, например, я-типа в пластине р-типа (рис. 8-3). Соотношение концентраций легирующих примесей и других объемных свойств в рп переходах на границах этого островка с матрицей подбираются такими, чтобы при смещении Направление Рис. 8-2. Коллекторные островки, электрически изолированные друг от друга рп-переходами, включенными в запорном иалравлснин. / — пластина ві р-типа; 2— коллекторные островки л-типа; 3— слой ЭЮг с окислами для диффузии под коллектор. в запорном направлении рп переход имел высокое сопротивление и фактически изолировал островок от матрицы. Создание подобных островков достигается обычным способом (рис. 8-2): поверхность кремния окисляется, в слое БЮг фотолитографически вскрывают окна, по форме соответствующие будущим островкам-коллекторам, и в них проводят диффузию примеси "-типа. Биполярный транзистор в подобном островке получают последующей диффузией (во вскрытые окна меньшего размера) сначала под базу, затем под эмиттер (см. рис. 8-1). Изоляция р-п переходом а) Поликристалл Карман Изолтия І 4,ч.-ч диэлектриком ^ п 5і02 г}\1,5мкм Стекло Рис. 8-3. Способы электрической изоляции при изготовлении компонентов интегральной схемы. а —исходная эпитаксиальная структура рл-типа; б — фотолитография под изолирующую (разделительную) диффузию; в — изолирующая диффузия бора; г —исходная пластина в! с канавками и слоем ЭЮг; д — поликристаллический кремний, выращенный на стороне пластины Э!, покрытой канавками; е — пластина с островком — "карманом" монокристаллического Э1 после сошлифовки основной части моиокристаллической пластины; ж, з—изготовленные микросхемы. Многократные процессы окисления всей поверхности, избирательного травления и диффузии вызывают возникновение, перераспределение и релаксацию механических внутренних напряжений и появление пластической деформации. В содержащих дефекты деформированных участках поверхности и приповерхностного слоя технологические (скорость и характер диффузии) и эксплуатационные характеристики (концентрация, подвижность и время жизни носителей заряда) существенно изменяются. Многократное повторение циклов "диффузионной микропроекции" — окисления, фотолитографического вскрытия окон в окисле и диффузии приводит к ухудшению структуры исходного монокристаллического ма-16*231
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 114 115 116 117 118 119 120... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
