Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 111 112 113 114 115 116 117... 140 141 142
|
|
|
|
содержания прнмеси в газовой фазе реактора. Содержание легколетучего галогенида в смеси регулируется температурой испарителя лигатуры в пределах от —95 до +40°С. Наличие примеси в парогазовой среде, окружающей растущую пленку, обычно снижает скорость роста и изменяет характер реакций, протекающих на поверхности растущего кристалла [98]. 7=р/ра т^бь/бьсь 0,0010,010,1 0,0010,01Щ Молярное отношение БЮ.^.-' Н2 Малярное ашношение БіСЦїДг гг,7 = в/вВг3 а)_____ _г,7=в/ЗС1з ^ 0,0010,010,1 "ппкрное отншенае Ъ\С\^Л\г В) 0.0010,010,1 к'оляр.чос отношение Б\С\г±'Н 2 *) Рис. 7-17. Влияние молярного отношения БіСЦ : Н2 на коэффициент превращения т). а, б — фосфор и сурьма в хлоридном методе; в, г — бор в бромидиом и хло-ридном методах. 'Различные примеси разным образом влияют иа скорость роста эпитаксиальиой -пленки, выращенной методом химической кристаллизации. Например, пленки, легированные бором хлоридиым методом, растут в 2—3 раза быстрее, чем нелегированные. Увеличение скоро стн роста приписывают протеканию при 1270° (температура кристаллизации) побочной реакции 4В+351С14^4ВС1з+351,(7-4) а также повышению каталитической активности поверхности кремния. Фосфор в отличне от бора существенно снижает скорость роста в хлоридиом процессе. Кроме этих двух примесей, для легирования автоэпитаксиальных пленок кремния применяют также мышьяк. Добавление примесей в силан (51Н4) осуществляется в виде арсена АбНз, диборана В2Н6, фосфина РН3 в соответствующих концентрациях (0,01—0,0001%). К галлоидиым соединениям кремния (БгСЦ, 8Ю2 и т. д.) добавляют соответственно ВВг3, ВСЬ, РОз, РСЬ, АбОз, ЭЬСЬ и т. д. Использование 81С14, легированного хлоридом, усложняет точную регулировку состава из-за невыполнения закона Рауля. Поэтому предпочитают добавление непосредственно в парогазовую фазу легколетучих соединений, содержащих примеси. Рис. 7-\7,а—г, иллюстрирует зависимость коэффициента превращения для различных примесей от молярного отношения БгСЦ : Н2 и расхода парогазовой смеси. Автолегирование пленок кремния, выращенных на сильнолегированной кремниевой подложке. При высокой рабочей температуре 1100—1300°С легирующая примесь из подложки интенсивно диффундирует в пленку. Поэтому в отсутствие легирующих добавок в парогазовой смеси она все равно оказывается легированной примесью подложки (рис. 7-18). Механизм автолегирования включает следующие пути доставки примеси в пленку: твердофазная диффузия из подложки; непосредственный перенос примеси через газовую фазу; перенос, связанный с загрязнением парофазовой смеси примесью, содержащейся в Зьпод-ложке. Наиболее существенным является механизм диффузии из подложки, поскольку остальные механизмы могут быть подавлены различными технологическими приемами. Проникновение легирующей примеси под поверхность п ее распределение по определенному закону является ОДНИМ ИЗ 'ОСНОВНЫХ результатов технологического процесса. Форма распределения примеси под поверхностью определяется двумя способами", добавлением примеси в процессе наращивания эпитаксиальиого слоя; ее проникновением через поверхность иелегированного материала и распространением вглубь с помощью диффузии. В первом случае в процессе осаждения при достаточно низкой температуре может быть задай практически любой закон макроскопического распределения примеси по толщине эпитаксиальиого слоя. Однако в процессе роста пленки происходят микро Рис. 7-18. Профиль распределения примеси в пленке 81. / — влияние автолегироваиия из подложки; г —линейная часть иа значительном уда-, Апми леиии от подложки; толщина пленки И от°|а °," а,о о,и ч-,0 %иМК считывается от поверхности пленки.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 111 112 113 114 115 116 117... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
