Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 110 111 112 113 114 115 116... 140 141 142
|
|
|
|
пленка — подложка Дислокаций несоответствия, компенсирующих различие в параметрах решетки. Дислокации несоответствия были обнаружены методом рентгеновской топографии в автоэпитаксиальных слоях 51, сильно легированных бором. Дислокации несоответствия параллельны поверхности (111) направлению типа [ПО]. Они представляют собой 60°-ные дислокации с плоскостями скольжения (111). При несоответствии параметров решетки сильнолегированной пленки и монокристалла Рис. 7-15. Дефектная структура эпитак-сиальной пленки 5і на поверхности (100) магниево-алюминиевой шпинели. подложки Б1: Аа/а=&0,01 %, дислокации несоответствия распределены по площади образца неравномерно [97]. Наблюдается тенденция к образованию скоплений. Линии дислокаций, как правило, располагаются попарно. Часто наблюдаются полупетли, вытянутые в направлении [ПО]. Полупетли не лежат в плоскости поверхности. Последнее может быть установлено при изучении распределения дислокаций по глубине с помощью топо-грамм образцов с косым шлифом и при последовательном удалении тонких слоев материала. Изображение части полупетли, расположенной в эпитаксиальной пленке, исчезает в непосредственной близости от границы раздела. Вторая часть полупетли расположена в монокристалле подложки на расстоянии 50—70 мкм. Дефекты в виде дислокационных полупетель, расположенных в наклонных плоскостях {111} параллельно поверхности раздела в направлениях [ПО], появляются под действием напряжений, вызванных различием параметров сопрягающихся решеток пленки и подложки. ;зпрло;еисс°Гро™пита,!сиальных плеиок пленки происходит по пеакпни п п Г!й хлоридов, когда рост Рис. 7-16. Схема установки для выращивания легированных пленок Бі. / — входной вентиль; 2 — регулирующие вентили; 3 — ротаметры; 4, 6 — испарители віСи и лигатуры; 5 — вентили иа входе в испаритель; 7 — вентиль продувки; в — вентиль в реактор; 9 — масляный затвор; 10 — кварцевый реактор; // — окно для измерения температуры; /2 —подставка с подложкой; 13 — двигатель. кируют активные центры роста уже при концентрации, соответствующей наличию одного примесного атома или молекулы на 10*—106 молекул вещества матрицы. При этом скорость роста существенно уменьшается '[50]. Примесь, снижающая поверхностную энергию, способствует уменьшению критических размеров зародыша и повышает вероятность его образования. Схема установки, в которой предусмотрено введение лигатуры (смеси, содержащей галогенид легирующей примеси), изображена на рис. 7-16. Если примесь подается из отдельного источника, можно осуществить простую регулировку
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 110 111 112 113 114 115 116... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
