Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 109 110 111 112 113 114 115... 140 141 142
|
|
|
|
Легированной пленки и нелегированной или слабо легированной подложки. В таких пленках экспериментально наблюдаются сетки дислокаций в плоскостях {111}. Дислокации образуются также при легировании пленок путем диффузии в процессе получения полупроводниковых микросхем. Экспериментально это обстоятельство было продемонстрировано с помощью химического травления и декорирования дислокаций медью в [97] (плоские и объемные дефекты). Кроме линейных дефектов, в пленках наблюдаются ямки и пустоты. Ямки — это отчетливо наблюдаемые углубления на поверхности эпитаксиального слоя. Они появляются, когда в процессе осаждения на поверхность растущего слоя попадают кремниевые пылинки или какие-либо чужеродные частицы. Пустоты — это нарушения сплошности эпитаксиального слоя, возникающие из-за присутствия на подложке перед началом осаждения пылинок кремния. В пустотах (на их дне) часто возникают иглообразные наросты — шипы, которые могут выступать над поверхностью эпитаксиального слоя на несколько десятков микронов. Шипы возникают, когда в ямках или пустотах реализуются условия быстрого дендритного роста, например при наличии на поверхности подложки (в области ямки или пустоты) примеси, сплавление которой с Б1 пли йе существенно снижает температуру плавления. При появлении на поверхности подложки микроскопической жидкой капли и достаточно высоком пересыщении может происходить рост нитевидных кристаллов по механизму пар—жидкость — кристалл [96]. Этот механизм со*-стоит в том, что Б1 или йе, попадая из пара или парогазовой смеси на поверхность жидкого сплава, диффундируют сквозь каплю к подложке. В месте контакта капли и подложки образуются зародыши и растет нитевидный кристалл. Если на подложку попадают частицы металлов, образующих с Б1 или (Зе легкоплавкие сплавы, то их присутствие может служить одновременно и причиной появления ямки или пустоты и роста нитевидного кристалла. Последнее происходит потому, что в полости пустоты или ямки может возникнуть локальное повышение степени пересыщения. Нитевидный кристалл является интенсивным стоком вещества. Поэтому наличие быстро растущего нитевидного кристалла истощает газовую фазу в его ближайшем окружении и само по себе может стать причиной появления ямки или пустоты. Одним из сложных видов дефектов являются Пирамидальные дефекты (рис. 7-14). Пирамида или трипира-миды — макроскопические несовершенства, выступающие над поверхностью слоя на несколько микронов. Предполагается, что кристаллы трипирамиды дважды сдвойникованы относительно подложки [86]; им сопутствуют дефекты упаковки. Центральная область трипирамиды имеет форму треугольного стержня, сдвойникованного относительно подложки по плоскости (111). Этот стержень окружают три кристалла, каждый из которых сдвойникован относительно подложки сначала по плоскости (111), а затем относительно наклонной плоскости (111). Три-пирамидам сопутствуют микродвойниковые ламели, сдвойникованные относительно подложки по Рис. 7-14. Пирамидальные дефекты на поверхности (111) Si. плоскости (111), наклонной к поверхности подложки. Возникновение этих дефектов связывается с образованием зародышей 5Ю [93], появляющихся на поверхности кремния в определенных условиях. При обрастании частичек эпитаксиаль-ным слоем появляются дефекты упаковки. В эпитаксиальных пленках кремния на шпинели часто образуется развитая система двойниковых прослоек. Подобные дефекты присутствуют в слоях Б1, выращенных на поверхности (100) монокристалла синтетической магниево-алюминиевой шпинели методом восстановления БЮЦ в атмосфере водорода при 1200°С. Рис. 7-15 демонстрирует внешний вид поверхности отшлифованной и протравленной смесью хромовой и плавиковой кислот эпитаксиальной пленки. Природа дефектов выявляется с помощью электронно-микроскопического снимка реплики с 'поверхности утоненного участка пленки. Дислокации несоответствия. При различии в степени легирования подложки и пленки параметры решеток автоэпитаксиальной пленки и подложки могут существенно различаться. При этом ориентированное срастание сопровождается образованием на границе раздела
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 109 110 111 112 113 114 115... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
