Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 108 109 110 111 112 113 114... 140 141 142
|
|
|
|
газовой смеси. Поэтому влияние пара НгО при высокой температуре связывается с газовым травлением подложки, и в первую очередь частиц и островков окисной пленки на ее 'поверхности. Присутствие кислорода также может способствовать газовому травлению подложки благодаря исключительно сильному воздействию на поверхностные реакции даже следов влаги. В присутствии Ог может протекать двухступенчатая реакция синтеза воды: 51 + 02—*5Ю2;(7-За) 8Ю4 + Н4^8Ю т +Н40 ♦ •(7-36) Так как реакция (7-36) не может протекать интенсивно, то для появления ощутимых количеств НгО реакция (7-За) должна обеспечить 'появление достаточно большого количества БЮ2. Синтезированная вода может принимать участие в газовом травлении подложки либо при предварительной выдержке в водороде, либо в процессе поступления на нее кремния, восстановленного из БЮЦ. В последнем случае, так же как и при пиролизе силана, удаление пленки БЮ2 может эффективно осуществляться по реакции БЮг + Б^гБЮ. Субокисел БЮ, образующийся в результате реакций (7-За) и (7-36), удаляется при высокой температуре в результате сублимации. Удаление БЮ2 с помощью реакций (7-3) является чисто поверхностным процессом в том смысле, что эта реакция способствует удалению молекул БЮ2, лишь когда они образуются непосредственно на внешней поверхности. Интенсивное появление БЮ в соответствии с реакцией (7-36) может также происходить на границе раздела пленки БЮ2 и Б1. Однако БЮ, образовавшийся под пленкой 5Ю2, не может эффективно удаляться с подложки. Транспортный механизм его диффузии сквозь пленку БЮ или перемещение вакансий кислорода активированными комплексами за счет эстафетного механизма (см. § 3, гл. 3) к внешней поверхности не обеспечивают интенсивного удаления БЮ из области твердофазной реакции на границе БЮ2 и Бь Рассмотренная твердофазная реакция и оба транспортных механизма возникают в тончайших пленках БЮ2. Таким образом, при достаточно высоких температурах протекание реакции (7-3) теоретически допускает полное устранение БЮ и БЮ2 с поверхности 81. Однакб практически эта возможность реализуется лишь при поступлении кремния на внешнюю 'поверхность пленки БЮ2 и достаточного утонения последней. Активная роль газообразного кислорода в механизме газового травления, связанная, по-видимому, с реакциями (7-За и 7-36), подтверждается образованием ямок травления на поверхности подложки, концентрация которых пропорциональна давлению кислорода в установке. В этом случае молекулярный пучок Б1Н4 конденсируется на подложку в присутствии молекул кислорода. При малой интенсивности пучка (1015— 101в см-2-с-') на поверхности подложки, свободной от окисной пленки, образуются зародыши. Появлению зародышей предшествует инкубационный латентный период времени т, в течение которого конденсация пучка не сопровождается образованием зародышей. Плотность молекулярного пучка и величина т связаны линейным соотношением (рис. 7-13). Добавление кислорода три давлении 7,3-10~7 Па затягивает инкубационный период. Вместо зародышей на подложке появляются ямки травления в количестве 6-Ю6 см-2. Увеличение давления кислорода до 4-Ю-6 Па повышает плотность ямок травления до 1,3-107 см-2. Дислокации. Дислокации в растущей эпитаксиальной пленке могут наследоваться от подложки (они являются про должением дислокаций подложки) . Дислокации несоответствия 'возникают на границе раздела между пленкой и подложкой в процессе роста из-за наличия на поверхности под № ложки различных неоднород. 10 ностей (неровностей, чужеродных частиц и т. п.), а также вследствие наличия напряжений на границе раздела под ,5 ложки и (пленки в объеме плен10 ки. Такой механизм появления дислокаций характерен для эпитаксиальных слоев кремния, сильно легированных бором или фосфором, благодаря несоответствию параметров решетки 17 0.1 ч 10 Рис. 7-13. Прямолинейная корреляция между интенсивностью потока / 51Н4 и длительностью латентного периода, предшествующего зарождению и росту частиц Б1.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 108 109 110 111 112 113 114... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
